SK Hynix avança a tecnologia 1c DRAM com seis camadas EUV, posicionando-se contra a Samsung em inovações EUV de alta NA

SK Hynix avança a tecnologia 1c DRAM com seis camadas EUV, posicionando-se contra a Samsung em inovações EUV de alta NA

A SK Hynix está nas manchetes com seus planos ambiciosos de lançar a tecnologia DRAM 1c. Essa abordagem inovadora elevará os padrões de desempenho dos produtos DDR5 e HBM, posicionando a empresa como pioneira no mercado de chipsets de memória.

SK Hynix utiliza EUV para tecnologias DRAM de última geração para aumentar rendimento e desempenho

Espera-se que esta iniciativa estratégica aprimore significativamente as ofertas da We Hynix nos setores de memória de consumo e HBM. Mais importante ainda, ela abre caminho para avanços em tecnologias DRAM de próxima geração, que provavelmente incorporarão métodos EUV de alta NA.

Para quem não está familiarizado com a Litografia Ultravioleta Extrema (EUV), é importante observar que essa técnica envolve processos complexos. Operando em um comprimento de onda de 13, 5 nm, com alta precisão, a EUV visa enfrentar desafios complexos de circuitos, permitindo a criação de características mais refinadas e minimizando a necessidade de múltiplas etapas de padronização.

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A introdução antecipada da DRAM 1c, particularmente com sua integração ao HBM4, promete trazer melhorias significativas de desempenho em um futuro próximo.

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