Samsung HBM4E promete impressionante largura de banda de 3,25 TB/s; quase 2,5 vezes mais rápido que o HBM3E, elevando o desempenho da computação de IA

Samsung HBM4E promete impressionante largura de banda de 3,25 TB/s; quase 2,5 vezes mais rápido que o HBM3E, elevando o desempenho da computação de IA

No recente Open Compute Project (OCP) Global Summit, a Samsung emergiu como pioneira no setor de fabricação de memória ao revelar avanços significativos em Memória de Alta Largura de Banda (HBM), especificamente em sua futura tecnologia HBM4E. Esta nova geração de memória promete oferecer melhorias notáveis ​​em relação às suas antecessoras.

HBM4E da Samsung: um salto na tecnologia de memória com velocidade incomparável

A Samsung vem promovendo ativamente suas ofertas de HBM, tendo recentemente conquistado contratos cruciais com grandes players como NVIDIA e AMD. No evento da OCP, a empresa iluminou a trajetória futura de sua série HBM, enfatizando as impressionantes especificações do HBM4 e da próxima geração do HBM4E. Notavelmente, o HBM4E deve atingir velocidades de pino de 13 Gbps por pilha, o que se traduz em uma largura de banda impressionante de 3, 25 TB/s, o que representa um aumento substancial nas métricas de desempenho.

As memórias Samsung HBM4 e HBM4E foram apresentadas em uma apresentação, destacando especificações como Densidade por Fatia e Mudança de Processo Lógico.
Detalhes do Samsung HBM4E | Créditos da imagem: Sedaily

Além disso, o módulo HBM4E apresenta uma eficiência energética impressionante, atingindo quase o dobro da eficiência do HBM3E existente. O processo HBM4 da Samsung também estabeleceu novos padrões, atingindo uma velocidade de pino de 11 Gbps, superando os padrões estabelecidos por organizações como a JEDEC. Esse avanço está alinhado à demanda da NVIDIA por soluções HBM4 aprimoradas para aprimorar o desempenho de sua arquitetura Rubin e, de acordo com a mídia local, a Samsung foi pioneira nesse avanço.

A Samsung Electronics, que anteriormente ficou atrás de seus concorrentes no setor de HBM3E, tem buscado intensamente capacidades de maior largura de banda desde o início do desenvolvimento do HBM4.À medida que sua competição de velocidade no HBM4 se aproxima do sucesso, a estratégia da empresa é manter o ritmo e avançar para a próxima geração.- Sedaily

Além dos aumentos de desempenho, a Samsung também está se concentrando em estabelecer uma estrutura de preços competitiva para suprimentos HBM4 para empresas como a NVIDIA. Com a tecnologia avançada de semicondutores (4 nm) sendo um componente integral do HBM4, os recursos de fundição interna da Samsung permitem um melhor controle da margem de lucro na produção desses módulos.

Quanto à introdução do HBM4E no mercado, a previsão é de que ele seja lançado no início de 2026, coincidindo com o cronograma de produção em massa da tecnologia HBM4.

Para mais detalhes, consulte a fonte de notícias: Sedaily.

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