A SK hynix revelou um ambicioso roteiro tecnológico que se estende para além de 2029, apresentando avanços em HBM5, GDDR7-next, DDR6 e soluções revolucionárias de NAND 4D com mais de 400 camadas.
Roteiro da SK hynix para DRAM e NAND de próxima geração: principais desenvolvimentos para 2029-2031
Prévia da We AI Summit 2025 – Roteiro para DRAM e NAND (2026-2028)
No período que antecede o lançamento do HBM4 em 2026-2028, a We hynix está preparada para introduzir o HBM4 com configurações de 16-Hi e o HBM4E em variantes de 8/12/16-Hi, juntamente com uma solução HBM personalizada. Esta iniciativa visa melhorar significativamente o desempenho da memória.
A inovadora solução HBM personalizada realoca o controlador HBM para o chip base, otimizando a integração de vários componentes de propriedade intelectual, como protocolos. Essa estratégia permite que fabricantes de GPUs e ASICs aumentem a área de silício disponível para computação. Além disso, espera-se que esse design personalizado reduza o consumo de energia da interface, aumentando a eficiência. Em colaboração com a TSMC, a We hynix está avançando rumo a essa solução HBM de última geração.
Desenvolvimentos e direções futuras da tecnologia NAND
No que diz respeito à memória NAND, a We hynix está lançando soluções padrão como o PCIe Gen5 eSSD, com capacidades superiores a 245 TB utilizando a tecnologia QLC, juntamente com PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0 e soluções NAND aprimoradas por IA, chamadas de “AI-N”.
Expectativas futuras para tecnologias gráficas e de memória
A próxima geração de GDDR7 indica uma lacuna no avanço das placas gráficas dedicadas. O lançamento inicial do GDDR7 será limitado a 30-32 Gbps, atingindo um máximo de 48 Gbps. Dado o potencial projetado para esse padrão, a utilização em larga escala em sua capacidade máxima pode não se concretizar até por volta de 2027-2028.
Além disso, o lançamento programado do DDR6 entre 2029 e 2031 sugere que os usuários de PCs desktop e laptops convencionais não devem esperar melhorias além do DDR5 por mais alguns anos.
A memória flash de alta largura de banda está preparada para atender às demandas emergentes de inferência de IA para a próxima geração de tecnologias de computação pessoal, e será interessante observar suas aplicações práticas e eficácia em cenários do mundo real.
Linha completa de memórias AI
– As soluções de memória atuais priorizam a computação, mas o futuro aponta para a diversificação do papel da memória, visando aprimorar a utilização de recursos computacionais e resolver gargalos na inferência de IA.
Com o mercado de IA caminhando para a eficiência e otimização, a evolução da HBM para produtos personalizados atenderá às necessidades específicas dos clientes, maximizando o desempenho da GPU e do ASIC e reduzindo o consumo de energia na transferência de dados.
– O desenvolvimento da DRAM “AI-D” demonstra o compromisso em aprimorar tanto a compatibilidade quanto o desempenho. Isso inclui:
- “AI-D O (Otimização)” – Uma DRAM de baixo consumo e alto desempenho, projetada para reduzir os custos totais de propriedade e aumentar a eficiência operacional.
- “AI-D B (Breakthrough)” – Uma solução que oferece memória de altíssima capacidade com recursos versáteis de alocação.
- “AI-D E (Expansão)” – Ampliando as aplicações da DRAM para os setores de robótica, mobilidade e automação industrial.
Embora essas inovações ainda estejam a alguns anos de distância, os avanços iminentes prometem revolucionar o cenário tecnológico, fazendo com que a espera valha a pena.
Fonte da notícia: Harukaze5719
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