A Micron Technology está mais uma vez na vanguarda das inovações de memória, colaborando com a NVIDIA para fornecer soluções avançadas de memória sob medida para computação de alto desempenho. Notavelmente, esses produtos aprimorarão chips como o HGX B300 NVL16 e o GB300 NVL72, marcando um avanço significativo na tecnologia de memória.
Soluções de memória de ponta da Micron: Apresentando 12H HBM3E e memória SOCAMM para melhoria do desempenho de IA
Entre os lançamentos essenciais está o LPDDR5X SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) da Micron, projetado especificamente para o GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip da NVIDIA. Complementando isso, o chip de memória 12H HBM3E de 36 GB da Micron alimentará as plataformas HGX B300 NVL16 e GB300 NVL72 da NVIDIA, aumentando significativamente sua eficiência.
Esses chips Blackwell recém-revelados pela NVIDIA, exibidos no recente evento GTC, alavancam os formidáveis chips 8-High 24 GB HBM3E da Micron para seus modelos HGX B200 e GB200 NVL72. A nova configuração de memória 12-High HBM3E empilha 12 matrizes DRAM verticalmente, permitindo que ela forneça impressionantes 12 GB a mais de capacidade de memória em comparação com sua contraparte 8-High. Tais aprimoramentos são cruciais para operações de IA com uso pesado de memória, permitindo que as GPUs lidem com cargas de trabalho substanciais com um aumento de memória de 50%, permitindo, em última análise, que modelos inteiros de IA, como o Llama 405B da Meta, sejam processados em uma única GPU.
Além disso, a memória 12H HBM3E traz não apenas capacidade adicional, mas também largura de banda melhorada, consumindo 20% menos energia. Essa eficiência é particularmente benéfica para operações de data center, onde tanto o desempenho quanto a economia de energia desempenham papéis críticos.
O SOCAMM baseado em LPDDR5X se destaca como uma excelente escolha para computação de alto desempenho (HPC).Com suas dimensões compactas de apenas 14×90 mm, ele ocupa apenas um terço do espaço exigido por RDIMMs tradicionais e pode suportar até 128 GB por módulo por meio de pilhas de 16 matrizes de memória LPDDR5X. Seu design não apenas otimiza o espaço, mas também oferece mais de 2, 5 vezes a largura de banda, ao mesmo tempo em que exibe uma eficiência de energia significativamente maior do que os RDIMMs padrão.
Atualmente, a Micron ostenta um portfólio robusto, incluindo memória GDDR7 para GPUs Blackwell RTX série 50 da NVIDIA, RDIMMs e MRDIMMs DDR5 de alta capacidade, juntamente com as tecnologias HBM3E e SOCAMM. Além disso, as soluções de armazenamento de ponta da Micron, como os SSDs Micron 9550 NVMe e 7450 NVMe, reforçam ainda mais sua liderança em tecnologia de memória e armazenamento. Enquanto isso, a concorrência inclui o recém-lançado SSD 9100 PRO da Samsung, que utiliza o padrão PCI-E 5.0 para atingir velocidades de leitura sequencial surpreendentes de até 14.800 MB/s.
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