Micron revela os módulos HBM4 de 11 Gbps mais rápidos e discute a colaboração da TSMC para memória HBM4E e GDDR7 acima de 40 Gbps

A Micron Technology anunciou recentemente um avanço significativo no mercado de memória ao lançar a DRAM de alta largura de banda (HBM4) de 11 Gbps mais rápida de todos os tempos, além de detalhar sua parceria com a TSMC para o desenvolvimento da próxima geração HBM4E.

Tecnologia HBM4 líder do setor e novas parcerias

Durante sua última teleconferência de resultados do quarto trimestre e do ano fiscal de 2025, a Micron divulgou atualizações importantes sobre seus segmentos de DRAM e NAND Flash. A empresa reportou resultados financeiros impressionantes, alcançando receitas de US$ 11, 32 bilhões no trimestre, um aumento significativo em relação aos US$ 9, 30 bilhões do trimestre anterior. Além disso, a receita total do ano fiscal saltou de US$ 25, 11 bilhões para impressionantes US$ 37, 38 bilhões. Visando aprimorar ainda mais seu desempenho, a empresa está se concentrando em soluções de memória de última geração.

Slide de apresentação da Micron sobre desempenho financeiro — Visão geral do desempenho financeiro e das metas da Micron.

Slide de apresentação da Micron sobre estratégias para o ano fiscal de 2026 — Estratégias e detalhes da Micron sobre DRAM/NAND para o ano fiscal de 2026.

Abordando o desenvolvimento do HBM4, a Micron compartilhou que sua solução de memória DRAM 12-Hi HBM4 está bem posicionada para atender às crescentes demandas de desempenho do setor. A empresa já enviou com sucesso as primeiras amostras de seu HBM4 de alto desempenho, apresentando velocidades de pinos superiores a 11 Gbps e uma largura de banda impressionante de 2, 8 TB/s. A Micron afirma que sua memória HBM4 liderará o mercado em desempenho e eficiência, superando todos os concorrentes.

Temos o prazer de observar que nossa participação em HBM está a caminho de crescer novamente e se manter em linha com nossa participação geral em DRAM neste terceiro trimestre, atingindo nossa meta que discutimos há vários trimestres. O HBM4 12-hi da Micron Technology continua no caminho certo para suportar os avanços da plataforma do cliente, mesmo com o aumento dos requisitos de desempenho para largura de banda e velocidades de pinos do HBM4.

Recentemente, enviamos amostras do nosso HBM4 para clientes, com largura de banda líder do setor superior a 2, 8 TB/s e velocidades de pinos superiores a 11 Gbps. Acreditamos que o HBM4 da Micron Technology supera todos os produtos HBM4 concorrentes, oferecendo desempenho líder do setor e a melhor eficiência energética da categoria. Nossa comprovada DRAM 1-gama, o design inovador e com baixo consumo de energia do HBM4, o chip base CMOS avançado interno e as inovações avançadas em encapsulamento são os principais diferenciais que possibilitam este produto líder da categoria.

Sanjay Mehrotra – Presidente e CEO da Micron

Além da HBM4, a Micron também discutiu a futura memória HBM4E. Esta nova variante contará com a colaboração da TSMC para a fabricação do chip lógico base, diferentemente da HBM4, desenvolvida totalmente internamente. As variantes padrão e personalizadas da HBM4E estão em desenvolvimento, com lançamento previsto para 2027.

Para o HBM4E, a Micron Technology oferecerá produtos padrão, bem como opções de personalização para a matriz lógica básica. Estamos em parceria com a TSMC para a fabricação da matriz lógica básica do HBM4E, tanto para produtos padrão quanto personalizados. A personalização exige uma colaboração estreita com os clientes, e esperamos que o HBM4E com matrizes lógicas básicas personalizadas ofereça margens brutas maiores do que o HBM4E padrão. Nossa base de clientes HBM expandiu e agora inclui seis clientes.

Temos acordos de preços com quase todos os clientes para a grande maioria do nosso fornecimento de HBM3E no calendário de 2026. Estamos em discussões ativas com os clientes sobre as especificações e volumes para HBM4, e esperamos concluir acordos para vender o restante do nosso fornecimento total de HBM do calendário de 2026 nos próximos meses.

Sanjay Mehrotra – Presidente e CEO da Micron

Detalhes da memória Micron GDDR7 — Memória GDDR7 da Micron com velocidades e desempenho aprimorado em jogos.

Além disso, a Micron destacou sua colaboração com a NVIDIA para a introdução da memória LPDDR em data centers, posicionando-se como fornecedora exclusiva desse tipo de memória. A empresa também anunciou avanços na memória GDDR7 voltada para aplicações de IA e clientes, prevendo velocidades superiores a 40 Gbps em modelos futuros. Atualmente, a NVIDIA é a única fabricante de GPUs a utilizar a tecnologia GDDR7, com o lançamento inicial em velocidades de pino de 32 Gbps.

Em estreita colaboração com a NVIDIA, a Micron foi pioneira na adoção de LPDRAM para servidores e, desde o lançamento da LPDRAM em sua família de produtos GB, a Micron tem sido a única fornecedora de LPDRAM para data centers. Além de nossa liderança em HBM e LP5, a Micron também está bem posicionada com nossos produtos GDDR7, projetados para oferecer desempenho ultrarrápido com velocidades de pino superiores a 40 Gbps, além da melhor eficiência energética da categoria para atender às necessidades de determinados sistemas de IA futuros.

Sanjay Mehrotra – Presidente e CEO da Micron

Por fim, desenvolvimentos empolgantes estão em andamento em relação ao nó DRAM 1γ da Micron, que atinge rendimentos maduros significativamente mais rápidos do que as gerações anteriores — aproximadamente 50% mais rápido. A empresa também está progredindo bem com a produção de NAND G9, consolidando sua liderança com a introdução de SSDs PCIe Gen6 em data centers e prometendo soluções mais inovadoras com DRAM 1γ de 16 Gb.

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