Micron lança o primeiro nó DRAM 1γ, com o objetivo de elevar o desempenho do DDR5

A Micron Technology ganhou as manchetes com o lançamento de sua inovadora memória DDR5 de sexta geração baseada no nó DRAM de classe 10 nm. Este desenvolvimento posiciona a Micron na vanguarda dos mercados industrial e de consumo.

Eficiência e desempenho aprimorados por meio da DRAM de sexta geração da Micron

Press Release : Em um anúncio emocionante, a Micron Technology, Inc.revelou que se tornou a primeira empresa do setor a começar a enviar amostras de sua memória DDR5 de sexta geração 1γ (1-gama).Esta DRAM de próxima geração é adaptada para CPUs avançadas e será distribuída inicialmente para clientes selecionados e parceiros do ecossistema. Com base em seus avanços anteriores com os nós 1α (1-alfa) e 1β (1-beta), a Micron está pronta para capacitar a próxima onda de computação, abrangendo desde infraestrutura de nuvem até aplicativos industriais, bem como dispositivos de consumo e tecnologias Edge AI, como smartphones e veículos inteligentes.

A implantação inicial do nó Micron 1γ DRAM aproveitará 16Gb DDR5 DRAM, estendendo gradualmente sua integração em todo o portfólio de memória da Micron. Este movimento estratégico aborda a crescente necessidade do setor por soluções de memória de alto desempenho e eficiência energética, particularmente em aplicações de IA. Este produto 16Gb DDR5 ostenta capacidades de velocidade impressionantes de até 9200MT/s, marcando um aumento notável de 15% na velocidade e uma redução de mais de 20% no consumo de energia quando comparado ao seu antecessor.

Por que o nó 1γ DRAM da Micron é significativo

A demanda por soluções avançadas de memória aumentou junto com o aumento da IA em data centers e na borda da rede. A mudança da Micron para o nó 1γ DRAM aborda vários desafios críticos enfrentados por seus clientes:

Desempenho aprimorado: a DRAM baseada em Micron 1γ melhora o desempenho, permitindo maiores recursos de computação em diversos produtos de memória, essenciais para futuras cargas de trabalho de IA.
Economia de energia: graças à tecnologia CMOS de porta metálica de alto K de última geração e aos aprimoramentos de design, o nó 1γ atinge uma redução de mais de 20% no consumo de energia, resultando em melhor gerenciamento térmico.
Maior densidade de bits: utilizando litografia EUV e melhorias inovadoras de design, o nó 1γ alcança um aumento de mais de 30% na saída de bits por wafer em comparação à geração anterior, facilitando o dimensionamento eficiente do fornecimento de memória.

A Micron alavancou sua ampla experiência em tecnologia DRAM em várias gerações para desenvolver o nó 1γ otimizado. Essa inovação depende de avanços do CMOS, aproveitando a tecnologia de porta metálica high-K de última geração. Esses avanços melhoram o desempenho do transistor, melhoram as capacidades de velocidade e permitem economias significativas de energia e melhorias de escala.

Ao integrar litografia EUV de ponta junto com tecnologia de gravação de alta proporção de aspecto e designs inovadores, o nó 1γ fornece vantagens de densidade de bits incomparáveis. O desenvolvimento do nó 1γ em vários locais de fabricação globais fortalece ainda mais o compromisso da Micron com o avanço tecnológico e a resiliência da cadeia de suprimentos.

Produtos transformacionais da nuvem para a borda

O nó 1γ servirá como uma tecnologia fundamental que aprimorará todo o portfólio de memória da Micron, impactando vários setores:

Data Center: soluções de memória DDR5 baseadas em 1γ para data centers prometem desempenho aprimorado em até 15%, além de eficiência energética aprimorada, permitindo o dimensionamento contínuo do desempenho do servidor para design térmico e de energia otimizado em futuras implantações de rack.
Edge AI: As soluções DRAM de baixo consumo de energia 1γ não apenas aumentam a economia de energia, mas também oferecem maior largura de banda, enriquecendo as experiências do usuário em aplicativos Edge AI.
- PCs com IA: os SODIMMs DDR5 1γ melhoram o desempenho e reduzem o consumo de energia em 20%, estendendo efetivamente a vida útil da bateria e aprimorando a experiência do usuário em laptops.
- Dispositivos móveis: Com a introdução do 1γ LPDDR5X, a Micron continua liderando o cenário da tecnologia móvel, permitindo aplicações de IA excepcionais na ponta.
- Automotivo: A memória 1γ LPDDR5X aumenta a capacidade, a durabilidade e o desempenho, atingindo velocidades de até 9600 MT/s.

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