O processo Intel 18A atinge densidade SRAM comparável ao TSMC N2; a equipe Blue se prepara para um retorno notável

Relatórios recentes indicam que o processo 18A da Intel atingiu níveis de densidade de SRAM comparáveis à tecnologia N2 da TSMC, um marco significativo que destaca os recursos avançados de semicondutores da Intel.

A importância do processo 18A da Intel e inovações como BSPDN

Com os desenvolvimentos em evolução na arquitetura de chips da Intel, há um crescente senso de otimismo em relação ao futuro da empresa. Discussões recentes na International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) revelam que a Intel e a TSMC estão intimamente relacionadas em termos de densidade de SRAM, com avanços notáveis sendo feitos que podem remodelar o cenário competitivo da fabricação de semicondutores.

Sentou-se na sessão 29 do @ieee_isscc : SRAM

1º artigo: $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM 2º artigo: $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM 3º artigo: @Mediatek 3nm TCAM 4º artigo: @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM

É uma batalha real.

— Sim.𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) 19 de fevereiro de 2025

À medida que nos aprofundamos nas possibilidades apresentadas pelo processo 18A, é essencial destacar uma de suas inovações revolucionárias: a Backside Power Delivery Network (BSPDN).Essa tecnologia pioneira realoca o fornecimento de energia da frente para a parte de trás do wafer, resultando em eficiência de energia aprimorada e integridade de sinal aprimorada — ambos fatores cruciais para o desempenho moderno de semicondutores.

Intel supostamente atrai TSMC — Um funcionário da fábrica da Intel segura um wafer com tecnologia Foveros empilhada em 3D em uma unidade de fabricação da Intel em Hillsboro, Oregon (dezembro de 2023).Em fevereiro de 2024, a Intel revelou a Intel Foundry, posicionando-se como a primeira fundição de sistemas do mundo adaptada para a era da IA, enfatizando liderança tecnológica, resiliência e sustentabilidade.(Crédito: Intel Corporation)

As versões de alta densidade do 18A da Intel estão sendo relatadas para atingir uma impressionante densidade de bits macro de 38, 1 Mb/mm² em configurações de matriz grande. Embora variações nos arranjos de células SRAM possam influenciar os resultados de densidade, a perspectiva para o processo 18A parece significativamente positiva. No entanto, é essencial monitorar o desempenho real da produção de chips, especialmente as taxas de rendimento, para avaliar completamente a eficácia desta nova tecnologia.

Enquanto isso, a TSMC também fez progressos em seu processo N2, apresentando um aumento de 12% na densidade de SRAM graças à sua transição para a tecnologia Gate-All-Around (GAA).Os aprimoramentos em SRAM de alto desempenho exibem um aumento notável de 18% na densidade. A chave para essa melhoria está na mudança das estruturas FinFET tradicionais para as estruturas de “nanosheet” N2, permitindo maior personalização e precisão no processo de fabricação.

A corrida competitiva entre a TSMC e a Intel está esquentando, prometendo um ambiente ainda mais intenso em inovação de semicondutores. No entanto, o teste final desses avanços está em sua integração na cadeia de suprimentos e no desempenho real do mercado.

Fonte e Imagens