A Synopsys lança o ‘Silicon Bring-Up’ do IP LPDDR6 no nó N2P avançado da TSMC, alcançando uma largura de banda excepcional de 86 GB/s

A Synopsys fez um avanço significativo na tecnologia de memória móvel ao anunciar o lançamento bem-sucedido de sua propriedade intelectual (IP) LPDDR6 com base no nó de processo N2P de ponta da TSMC.

Conquistas impressionantes em largura de banda com a tecnologia N2P

Para quem não está familiarizado, a inicialização do silício representa a fase inicial de inicialização de um novo chip, particularmente relevante no contexto de um bloco IP. Esse processo essencial envolve uma série de testes que abrangem validação de hardware, sequenciamento de energia e outras verificações críticas. O progresso recente da Synopsys destaca sua capacidade de desenvolver um bloco IP LPDDR6 licenciável que pode atingir larguras de banda extraordinárias de até 86 GB/s, alinhando-se estreitamente com as especificações definidas pelos padrões JEDEC.

Conseguimos implementar com sucesso o silício do nosso IP LPDDR6 no TSMC N2P, fornecendo largura de banda de até 86 GB/s. Forneça energia para sistemas móveis, de IA e de ponta de última geração com SDRAMs LPDDR eficientes.

— Synopsys (@Synopsys) 16 de outubro de 2025

Este desenvolvimento marca uma das primeiras integrações do processo N2P avançado da TSMC com um bloco IP LPDDR6. A arquitetura deste IP consiste em dois elementos principais: o controlador e a interface PHY. O controlador é responsável por implementar o mecanismo do protocolo JEDEC e gerenciar os controles de temporização e os estados de baixo consumo de energia.É importante ressaltar que o processo N2P da TSMC aprimora os recursos do PHY, pois abrange circuitos analógicos e de E/S avançados projetados para otimizar o desempenho.

Notavelmente, o controlador LPDDR6 exige densidade e velocidade aprimoradas para um fechamento de tempo eficiente. A tecnologia N2P se destaca nessa área, apresentando métricas impressionantes de desempenho de energia (PPA).Isso não apenas reduz o consumo de energia por bit, mas também minimiza o espaço físico da memória, facilitando sua aplicação em IA no dispositivo e outras plataformas de eficiência energética.

Micron DDR5 MRDIMM com rótulos de 256 GB 8800 MT/s fator de forma 1U e 128 GB 8800 MT/s exibidos em um cenário LPDDR6.

Analisando mais a fundo as métricas de desempenho, a Synopsys revela que a pilha suporta uma largura de banda impressionante de 86 GB/s, alinhando-se ao padrão JEDEC por pino de aproximadamente 10, 667 Gb/s. A velocidade máxima teórica pode chegar a cerca de 14, 4 GB/s por pino, o que equivale a uma largura de banda total impressionante de 115 GB/s. Isso indica que o LPDDR6 representa um salto geracional significativo em relação ao LPDDR5, impulsionado pelos aprimoramentos inovadores da tecnologia N2P da TSMC. Olhando para o futuro, o LPDDR6 está prestes a se tornar uma solução popular no próximo ano, prometendo redefinir os padrões do setor para memória móvel.

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