A SK hynix está desenvolvendo armazenamento de alta largura de banda (HBS) com chips DRAM e NAND empilhados para aprimorar o desempenho de IA em smartphones e tablets.

A SK hynix está prestes a revolucionar a velocidade de processamento de dados ao empilhar até 16 camadas de chips DRAM e NAND, utilizando uma tecnologia inovadora conhecida como fan-out de fios vertical (VFO).Esse avanço é crucial para aprimorar o desempenho em diversos dispositivos eletrônicos.

O VFO aprimora a eficiência da transmissão de dados.

Conforme relatado pela ETNews, o sucesso do armazenamento de alta largura de banda (HBS) depende fortemente do método de encapsulamento VFO. Introduzida em 2023 pela We hynix, essa tecnologia conecta os chips DRAM e NAND em uma configuração reta, em vez de usar a ligação por fio curvo convencional. Essa configuração minimiza as perdas de transmissão de dados e aumenta a eficiência da transferência de dados, o que é particularmente relevante à medida que a IA generativa se torna mais comum em smartphones e tablets.

A SK Hynix está desenvolvendo armazenamento de alta largura de banda para impulsionar o desempenho de IA em smartphones e tablets. — Implementação de armazenamento de alta largura de banda em dispositivos modernos.

As vantagens do VFO são notáveis. Ao reduzir significativamente as distâncias de cabeamento e minimizar as perdas e atrasos na transmissão de sinal, o VFO facilita um maior número de conexões de E/S. Essa combinação de melhorias leva a um aumento significativo no desempenho do processamento de dados. O HBS foi projetado para funcionar perfeitamente com chipsets de smartphones, que serão integrados à placa lógica do dispositivo. Embora os detalhes sobre os System-on-Chips (SoCs) suportados ainda sejam escassos, espera-se que o Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro suporte as tecnologias LPDDR6 e UFS 5.0, tornando-o um forte candidato para o HBS.

Implicações de custo do armazenamento de alta largura de banda para fabricantes

Um dos benefícios mais significativos da HBS é o seu custo de fabricação reduzido em comparação com a memória de alta largura de banda (HBM).Ao contrário da HBM, que requer a tecnologia Through Silicon Via (TSV), que envolve a penetração física no chip, a HBS dispensa essa necessidade. Consequentemente, isso leva a um aumento no rendimento da produção e a custos gerais mais baixos, o que provavelmente atrairá fabricantes que buscam implementar essa solução de armazenamento.

Em contrapartida, a Apple estaria planejando utilizar HBM e TSV em seus próximos dispositivos, visando habilitar funcionalidades de IA mais robustas localmente no iPhone. Nesse contexto, não é surpreendente que a Apple já esteja investigando o HBS como uma possível opção de armazenamento para modelos futuros.

Para obter mais detalhes, consulte a reportagem da ETNews.

Para mais informações e imagens, consulte a fonte Wccftech.