A Samsung planeja iniciar a produção em massa da memória HBM4 de última geração em 2026, incluindo opções de 24 GB GDDR7 e 128 GB ou mais de DDR5.

Planos ambiciosos da Samsung para a produção de memória de próxima geração em 2026

A Samsung está se preparando para avanços significativos na tecnologia de memória, visando iniciar a produção da memória de alta largura de banda de próxima geração (HBM4), juntamente com a DRAM GDDR7 de 24 Gb e produtos com 128 GB ou mais, previstos para 2026.

Destaques recentes do desempenho financeiro

Em seu relatório de resultados do terceiro trimestre de 2025, a Samsung reportou um notável aumento de 15, 4% na receita, totalizando 86, 1 trilhões de won coreanos. Esses números recordes foram impulsionados principalmente por um aumento na demanda por memória HBM3E e SSDs para servidores, especialmente devido ao crescente interesse em inteligência artificial.

Destaques financeiros da Samsung no terceiro trimestre de 2025 — Destaques financeiros da Samsung para o terceiro trimestre de 2025

Introdução da próxima geração HBM4 e do processo de 2 nm

Recentemente, a Samsung apresentou sua avançada solução de memória HBM4, com velocidades de até 11 Gbps por circuito integrado (CI).Esse tipo de memória se posiciona como uma opção formidável para os futuros aceleradores de IA de gigantes da indústria como NVIDIA e AMD, especificamente as séries Rubin e MI400. Segundo relatos, amostras dessa memória HBM4 de ponta estão sendo avaliadas por fabricantes de chips de IA para testes e qualificação.

Em conjunto com a HBM4, a Samsung está focada em garantir um fornecimento consistente de seu processo de fabricação de 2 nm com tecnologia Gate-All-Around (GAA) e chips base HBM4 até 2026. A tecnologia de 2 nm deverá aprimorar a produção dos sistemas em chip (SoCs) Exynos e Qualcomm Snapdragon de próxima geração, com previsão de aumento da produção neste trimestre.

No quarto trimestre de 2025, a empresa responderá ativamente à demanda de servidores convencionais e de IA com HBM3E, eSSDs de alta densidade e outras ofertas de memória de ponta. Além disso, continuará a expandir as vendas de produtos de memória para servidores de alto valor agregado líderes do setor, como DDR5 de 128 GB e superior, bem como GDDR7 de 24 Gb.

A partir de 2026, a divisão de Memória se concentrará na produção em massa de produtos HBM4 com desempenho diferenciado, buscando simultaneamente expandir a base de vendas de HBM. Em particular, a demanda por HBM4 também deverá aumentar, e a empresa planeja responder proativamente com a expansão da capacidade produtiva em 1c. Além disso, concentrará seus esforços na expansão das vendas de outros produtos de alto valor agregado, como DDR5, LPDDR5x e SSDs QLC de alta densidade, para atender à demanda por aplicações de IA.

No quarto trimestre de 2025, a empresa buscará a melhoria contínua dos lucros por meio do aumento da produção em massa de produtos Gate-All-Around (GAA) de 2 nm, do aumento da utilização das fábricas e da otimização de custos.

Em 2026, a divisão de Fundição se concentrará em fornecer um suprimento estável de novos produtos GAA de 2nm e do chip base HBM4, além de iniciar as operações na fábrica da empresa em Taylor, Texas, em tempo hábil.

via Samsung Newsroom

Impactos futuros do produto e tendências de mercado

A Samsung identificou os papéis cruciais que a memória DDR5 de 128 GB ou mais e a DRAM GDDR7 de 24 GB desempenharão em 2026. O lançamento previsto de novas plataformas de servidor da AMD e da Intel no segundo semestre de 2026 deverá impulsionar significativamente o mercado.

A Samsung se prepara para a produção da memória HBM4 de próxima geração. — Preparativos da Samsung para a produção em massa de memórias de próxima geração em 2026.

A demanda por GDDR7 deverá permanecer robusta, especialmente entre consumidores de alto padrão e desenvolvedores de placas gráficas com inteligência artificial. A GPU Rubin CPX, recentemente apresentada pela NVIDIA, é uma candidata ideal para essa memória, que também pode atender a produtos futuros como a série NVIDIA RTX 50 “SUPER” e possíveis atualizações da arquitetura AMD Radeon “RDNA 5” ou “RDNA 4”.Os chips de DRAM de 24 Gb não apenas aumentarão a capacidade de VRAM, mas também suprirão lacunas em segmentos convencionais.

No entanto, um desafio premente que o mercado de DRAM e SSD enfrenta atualmente é o foco excessivo em IA, resultando em preços mais altos para produtos voltados ao consumidor. Relatórios recentes indicam aumentos significativos nos preços da memória DDR5 e dos SSDs em meio à crescente escassez, aumentando as preocupações tanto de consumidores quanto de fabricantes. Diversos grandes produtores de DRAM já informaram sobre os próximos aumentos de preços para memórias DDR5 e DDR4, o que exige uma análise mais aprofundada dos desenvolvimentos do mercado nos próximos meses.

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