A Intel firma parceria com o SoftBank para retornar ao mercado de memória em meio à escassez contínua.

A Intel está se posicionando estrategicamente para aproveitar a crescente demanda por DRAM, colaborando com uma subsidiária do SoftBank para lançar uma tecnologia de memória inovadora conhecida como “ZAM”.Essa iniciativa surge em um momento em que a proliferação da infraestrutura de inteligência artificial (IA) levou a aumentos sem precedentes nos requisitos de DRAM, principalmente entre provedores de hiperescala e fabricantes de semicondutores.

Eficiência energética aprimorada com os módulos de memória ZAM da Intel.

A cadeia de suprimentos global de memória está enfrentando restrições significativas devido à disponibilidade limitada dos fornecedores atuais, o que destaca a necessidade urgente de novos participantes no mercado. Nesse contexto, a Intel está liderando um novo empreendimento no setor de memória. A empresa firmou uma parceria com a Saimemory, do SoftBank, para formular um novo padrão denominado Memória de Ângulo Z (ZAM).

Os esforços iniciais de desenvolvimento da tecnologia de memória ZAM derivam do programa Advanced Memory Technology (AMT), iniciado pelo Departamento de Energia dos EUA. Durante esse processo, a Intel apresentou sua tecnologia de interconexão de última geração para DRAM de próxima geração. Embora os anúncios da SoftBank não aprofundem o posicionamento específico da memória ZAM, informações sobre as estratégias de interconexão da Intel sugerem que a ZAM provavelmente empregará uma topologia de interconexão escalonada, facilitando conexões diagonais ao longo da pilha de chips em vez da perfuração vertical convencional.

As arquiteturas de memória padrão não conseguem atender às necessidades da inteligência artificial. O NGDB define uma abordagem completamente nova que acelerará nossa transição para a próxima década.

Estamos repensando a organização da DRAM para avançar fundamentalmente a arquitetura de sistemas de computadores, visando alcançar melhorias de desempenho significativas e incorporar a inovação aos padrões da indústria.

– Executivos da Intel falam sobre a próxima geração de conexões DRAM

O design de memória em ângulo Z (Z-Angle Memory – ZAM) visa utilizar uma área maior de silício para as células de memória, possibilitando maior densidade e, ao mesmo tempo, reduzindo a resistência térmica. Essa abordagem inovadora pode incorporar técnicas de ligação híbrida cobre-cobre, permitindo conexões mais eficientes entre as camadas e criando, efetivamente, um bloco de silício coeso em vez de pilhas discretas. Além disso, espera-se que o ZAM seja um design sem capacitores, integrando a ponte de interconexão multi-die incorporada (EMIB) da Intel para conectividade perfeita entre a memória e os processadores de IA.

Um diagrama rotulado intitulado 'Arquitetura de Memória ZAM Detalhada' mostra uma pilha de chips de silício multicamadas com ângulo Z de cobre. — Créditos da imagem: Wccftech (Gerada por IA)

Essa colaboração entre a SoftBank e a Intel está prestes a dar à Intel o controle sobre a tecnologia de pilha de memória, potencialmente revelando avanços em circuitos integrados de aplicação específica (ASICs) personalizados, incluindo a série Izanagi. Embora as métricas exatas de desempenho comparando a ZAM com a memória de alta largura de banda (HBM) ainda não tenham sido divulgadas, os primeiros indícios sugerem que o design em ângulo Z pode oferecer:

Redução de 40 a 50% no consumo de energia
Fabricação simplificada por meio de interconexões em ângulo Z
Capacidade de armazenamento aprimorada por chip (até 512 GB)

Isso marca um notável retorno da Intel ao setor de DRAM, já que a gigante da tecnologia atuava nesse mercado até 1985, quando se retirou devido à intensificação da concorrência de empresas japonesas. Considerando a dinâmica atual do mercado e o imenso potencial na área de memória, será interessante observar como a tecnologia ZAM da Intel evolui e se ela conseguirá ganhar espaço entre os líderes do setor, incluindo grandes empresas como a NVIDIA.

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