Zapasy pamięci DDR5 SK Hynix drastycznie spadły, pozostało ich zaledwie 2 tygodnie!

Zapasy pamięci DDR5 SK Hynix drastycznie spadły, pozostało ich zaledwie 2 tygodnie!

SK Hynix raportuje znaczny spadek zapasów pamięci DRAM (DDR5)

Najnowsze analizy branżowe wskazują na gwałtowny wzrost popytu na produkty z zakresu pamięci o dużej przepustowości (HBM), co prowadzi do znacznego zmniejszenia pojemności płytek waflowych dla innych typów pamięci, zwłaszcza DRAM i NAND. W rezultacie podaż tych komponentów maleje, a średni globalny czas dostawy DDR5 wynosi obecnie od 26 do 39 tygodni.

W niedawnym raporcie Morgan Stanley podkreślił wpływ rosnącej liczby serwerów AI na popyt na pamięci masowe, takie jak DRAM i NAND. To rosnące zainteresowanie gwałtownie wyczerpuje zapasy w branży i wzmacnia trwający wzrost cen.

Obecnie szacuje się, że zapasy pamięci NAND wystarczą na 4–5 tygodni, co odzwierciedla podobną tendencję.

Na tle konkurencji Micron plasuje się na odległym drugim miejscu z 21% udziałem w rynku, a tuż za nim znajduje się Samsung z 15% udziałem w rynku.

Morgan Stanley dostarczył dodatkowych informacji:

„Ostatni nieoczekiwany wzrost popytu na pamięci DRAM i NAND stworzył podwaliny poważnych niedoborów podaży w 2026 r., a silniejsza sytuacja na rynku może utrzymać się do 2026 r.”

Konsekwencje tej zmiany na rynku pamięci są szczególnie widoczne w segmencie smartfonów. Rosnący popyt na pamięć HBM pochłania coraz większą część całkowitych mocy produkcyjnych pamięci DRAM, co negatywnie wpływa na dostępność pamięci LPDDR5X. Ta wersja pamięci DRAM została zaprojektowana z myślą o wysokiej wydajności i niskim zużyciu energii, powszechnie stosowana w smartfonach, tabletach i ultracienkich laptopach, co z kolei prowadzi do wzrostu cen pamięci LPDDR5X.

Wtórując temu stanowisku, prezes Xiaomi, Lu Weibing, stwierdził na Weibo, że Xiaomi nie jest w stanie zmienić trajektorii globalnych łańcuchów dostaw. Ostrzegł, że wzrost kosztów magazynowania przekroczył oczekiwania i będzie nadal rósł.

Źródło i obrazy

Dodaj komentarz

Twój adres e-mail nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *