TSMC wybiera błonki fotomaskowe zamiast kosztownych maszyn EUV o wysokiej NA do zaawansowanych technologii 1 nm i 1,4 nm

Przejście na proces produkcyjny 2 nm w TSMC stało się łatwiejsze dzięki istniejącym maszynom litograficznym do litografii w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV), umożliwiającym produkcję płytek o wysokiej wydajności. Jednak w miarę jak firma planuje dalszy rozwój węzłów o długości poniżej 2 nm – a konkretnie technologii 1, 4 nm (A14) i 1 nm (A10) – TSMC stoi przed poważnymi wyzwaniami inżynieryjnymi. Chociaż przejęcie najnowocześniejszego sprzętu High-NA EUV firmy ASML mogłoby rozwiązać te problemy, niedawny raport wskazuje, że TSMC zdecydowało się zamiast tego na produkcję błon fotomaskowych.

Ekonomiczne błonki fotomasek: strategiczny wybór dla TSMC

TSMC przewiduje rozpoczęcie pełnoskalowej produkcji płytek 2 nm pod koniec 2025 r., a następnie przejście na technologię 1, 4 nm w 2028 r. Firma zainwestowała już około 1, 5 biliona dolarów tajwańskich (około 49 miliardów dolarów) w przyspieszenie tego zaawansowanego procesu produkcyjnego, w tym w zakup 30 maszyn EUV w swoim zakładzie w Hsinchu.

Pomimo potencjalnych zalet maszyn High-NA EUV firmy ASML – wycenianych na 400 milionów dolarów każda i zaprojektowanych w celu zwiększenia wydajności i niezawodności produkcji układów scalonych 1, 4 nm i 1 nm – TSMC wydaje się niechętne do inwestowania w nie. Według analiz branżowych Dana Nystedta i „Commercial Times”, TSMC uważa, że finansowe konsekwencje nabycia tych maszyn nie uzasadniają ich rzekomych korzyści. Zamiast tego gigant półprzewodników koncentruje się na integracji błon fotomasek z procesami produkcyjnymi, aby chronić je przed zanieczyszczeniami pyłem i innymi cząstkami stałymi.

To podejście, choć korzystne ekonomicznie, niesie ze sobą szereg komplikacji. Produkcja z wykorzystaniem standardowych technologii EUV dla parametrów 1, 4 nm i 1 nm wymaga wydłużenia czasu naświetlania, co prowadzi do częstszego stosowania fotomasek. Tak szerokie zastosowanie budzi obawy o pogorszenie wydajności. W związku z tym, wdrożenie błonek staje się kluczowe dla utrzymania standardów pomieszczeń czystych i zapewnienia udanej produkcji.

TSMC wydaje się być przekonane do swojej strategii, postrzegając pellikle jako rozsądną alternatywę dla wysokich cen związanych z urządzeniami High-NA EUV. Kolejnym czynnikiem jest zdolność produkcyjna; ASML może rocznie produkować tylko pięć do sześciu urządzeń High-NA EUV. Biorąc pod uwagę zapotrzebowanie TSMC na dodatkowe 30 standardowych urządzeń EUV, aby sprostać rosnącym wymaganiom klientów, w tym dużych graczy, takich jak Apple, znaczne inwestycje w mniejszą liczbę urządzeń High-NA mogą nie być zgodne z długoterminowymi celami firmy.

Podsumowując, decyzja TSMC o wykorzystaniu fotomasek zamiast inwestowania w drogie urządzenia EUV o wysokiej wartości NA odzwierciedla przemyślaną równowagę między kosztami, wydajnością i możliwością adaptacji w szybko zmieniającym się rynku półprzewodników.

Źródło wiadomości: Commercial Times

Źródło i obrazy