TSMC prezentuje zaawansowany proces 2 nm o znacznym zwiększeniu wydajności i efektywności

Firma TSMC ogłosiła ekscytujące nowe aktualizacje dotyczące swojej innowacyjnej technologii „2nm N2”, które charakteryzują się znaczącym postępem zarówno pod względem wydajności, jak i wskaźników wydajności.

Przekształceniowa wydajność technologii „N2 Nanosheet” firmy TSMC

Oczekiwania związane z procesem 2 nm TSMC nadal rosną, ponieważ ten nowy węzeł jest gotowy dostarczyć niezwykłe ulepszenia w zakresie wydajności i efektywności energetycznej. Ponieważ produkcja masowa ma rozpocząć się w drugiej połowie 2025 r., ostatnie spostrzeżenia ujawnione podczas prezentacji TSMC na IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) w San Francisco rzucają światło na to, jak 2 nm wypada w porównaniu z poprzednimi. W centrum uwagi znalazła się najnowocześniejsza technologia „nanosheet”.

Przegląd technologii TSMC — Źródło obrazu: TSMC

TSMC poinformowało, że jego proces 2 nm zapewnia imponującą poprawę wydajności o 15%, jednocześnie zmniejszając zużycie energii nawet o 30%. Te udoskonalenia znacznie zwiększają ogólną wydajność węzła. Ponadto proces ten wykazuje 1,15-krotny wzrost gęstości tranzystorów, co jest kamieniem milowym przypisywanym włączeniu tranzystorów nanosheet z bramką dookoła (GAA) i architektury N2 NanoFlex, która optymalizuje przestrzeń dla różnych komórek logicznych.

Przejście z konwencjonalnej technologii FinFET na specjalistyczną architekturę „nanosheet” N2 zapewniło TSMC większą kontrolę nad przepływem prądu. Ta zmiana umożliwia producentom dostosowywanie parametrów operacyjnych do konkretnych przypadków użycia, dzięki skomplikowanej konstrukcji nanosheet, które składają się z ułożonych w stos wąskich taśm krzemowych, z których każda jest w pełni otoczona bramką. Konstrukcja ta umożliwia znacznie dokładniejszą kontrolę prądu w porównaniu z implementacjami FinFET.

Funkcje technologii TSMC — Źródło obrazu: TSMC

W porównaniu z procesem 3 nm i jego wariantami technologia N2 firmy TSMC wykazuje znaczące zwiększenie wydajności. Oczekuje się, że ten znaczący postęp przyciągnie czołowych graczy branżowych, takich jak Apple i NVIDIA, chętnych do wykorzystania zalet generacyjnych zapewnianych przez ten innowacyjny proces. Jednak wprowadzenie tych ulepszeń doprowadzi również do znacznego wzrostu kosztów płytek, które według szacunków wzrosną o ponad 10% w porównaniu z technologią 3 nm.

Podobno koszt wafla N2 może spaść od 25 000 do 30 000 USD, odzwierciedlając strategie cenowe TSMC, co jest zauważalnym wzrostem w porównaniu z około 20 000 USD za wafle 3 nm. Ponadto, biorąc pod uwagę początkowe wskaźniki wydajności i wczesne próby produkcyjne, ogólna produkcja prawdopodobnie będzie początkowo dość ograniczona, co sugeruje stopniowe wdrażanie tego zaawansowanego procesu.

Źródło i obrazy