TSMC rozpoczyna budowę zakładu 1,4 nm na Tajwanie do 2025 r., nie będzie jednak wykorzystywać technologii EUV o wysokiej rozdzielczości firmy ASML w tym procesie

TSMC przygotowuje się do rozpoczęcia produkcji płytek 2 nm do końca 2025 roku. Jednak największy producent półprzewodników na świecie już teraz skupia się na jeszcze bardziej zaawansowanej technice produkcji – technologii 1, 4 nm, znanej również jako A14. Ostatnie doniesienia wskazują, że TSMC rozpocznie prace nad produkcją płytek 1, 4 nm na Tajwanie. Co istotne, firma wydaje się być gotowa ominąć niedawno opracowany i niezwykle drogi sprzęt do litografii High-NA EUV firmy ASML.

Innowacyjne podejście TSMC: wykorzystanie technik wielowzorcowania w zakresie EUV o wysokiej NA

Według Commercial Times budowa nowego zakładu produkcyjnego w Taichung, w którym będą produkowane elementy w technologii 1, 4 nm, ma rozpocząć się do końca roku, jednak masowa produkcja może rozpocząć się dopiero w drugiej połowie 2028 roku. TSMC przedstawiło już wcześniej ten harmonogram i stwierdziło, że jego proces A14 może doprowadzić do zmniejszenia zużycia energii nawet o 30%.

Prace badawczo-rozwojowe nad procesem 1, 4 nm będą prowadzone w istniejącym zakładzie TSMC w Hsinchu. Firma jest już na etapie rekrutacji w zakładzie w Taichung, a do sierpnia zatwierdzono pozwolenia na budowę trzech nowych budynków. Aby zrealizować te ambitne plany, początkowa inwestycja TSMC prawdopodobnie przekroczy 1, 5 biliona dolarów tajwańskich, co odpowiada w przybliżeniu 49 miliardom dolarów, a znaczna część środków zostanie przeznaczona na zakup 30 maszyn litograficznych EUV, planowany na 2027 rok.

Jak donosi Dan Nystedt na portalu X, decyzja TSMC o rezygnacji z systemów High-NA EUV firmy ASML prawdopodobnie wynika z oszałamiających kosztów tych maszyn, których wartość wynosi około 400 milionów dolarów za sztukę. Taka cena stanowi poważne wyzwanie finansowe. TSMC stanowczo oświadczyło, że jego obecna infrastruktura umożliwia masową produkcję płytek 1, 4 nm, decydując się zamiast tego na skomplikowane metody wielowarstwowego wzorowania, podobne do tych stosowanych przez SMIC w procesach 5 nm.

Chociaż wybrana przez TSMC alternatywa niesie ze sobą pewne wady, takie jak potencjalny wzrost czasu i kosztów związanych z optymalizacją wydajności, firma jest gotowa podjąć próbę „prób i błędów”, aby udoskonalić proces produkcyjny 1, 4 nm. Kluczową różnicą między TSMC a konkurencyjnym SMIC jest to, że TSMC posiada wyspecjalizowane zasoby EUV, które pomogą w tym przedsięwzięciu. Biorąc pod uwagę, że masowa produkcja jest jeszcze odległa o kilka lat, TSMC ma wiele możliwości udoskonalenia i optymalizacji tej najnowocześniejszej technologii.

Źródło wiadomości: Commercial Times

Źródło i obrazy