Firma Synopsys poczyniła znaczący postęp w technologii pamięci mobilnych, ogłaszając udane wprowadzenie na rynek krzemu swojej własności intelektualnej (IP) LPDDR6 opartej na najnowocześniejszym węźle procesowym N2P firmy TSMC.
Imponujące osiągnięcia w zakresie przepustowości dzięki technologii N2P
Dla niezorientowanych, „silicon bring-up” to początkowa faza uruchamiania nowego układu scalonego, szczególnie istotna w kontekście bloku IP. Ten kluczowy proces obejmuje serię testów, w tym walidację sprzętu, sekwencjonowanie zasilania i inne kluczowe kontrole. Ostatnie postępy firmy Synopsys wskazują na jej zdolność do opracowania licencjonowanego bloku IP LPDDR6, który może osiągnąć nadzwyczajną przepustowość do 86 GB/s, ściśle dostosowując się do specyfikacji określonych przez standardy JEDEC.
Udało nam się pomyślnie uruchomić naszą technologię LPDDR6 IP na TSMC N2P, zapewniając przepustowość do 86 GB/s. Zasilaj systemy mobilne, AI i brzegowe nowej generacji wydajnymi pamięciami LPDDR SDRAM.
— Synopsys (@Synopsys) 16 października 2025
To rozwiązanie stanowi jedną z pierwszych integracji zaawansowanego procesu N2P firmy TSMC z blokiem IP LPDDR6. Architektura tego IP składa się z dwóch głównych elementów: kontrolera i interfejsu PHY. Kontroler odpowiada za implementację silnika protokołu JEDEC oraz zarządzanie sterowaniem czasowym i stanami niskiego poboru mocy. Co ważne, proces N2P firmy TSMC rozszerza możliwości PHY, ponieważ obejmuje zaawansowane układy analogowe i wejścia/wyjścia zaprojektowane w celu optymalizacji wydajności.
Co istotne, kontroler LPDDR6 wymaga zwiększonej gęstości i szybkości, aby zapewnić efektywne domykanie czasowe. Technologia N2P wyróżnia się w tym obszarze, oferując imponujące wskaźniki wydajności energetycznej (PPA).To nie tylko zmniejsza zużycie energii na bit, ale także minimalizuje fizyczny rozmiar pamięci, ułatwiając jej zastosowanie w sztucznej inteligencji (AI) i innych energooszczędnych platformach.
Zagłębiając się w metryki wydajności, Synopsys ujawnia, że stos obsługuje imponującą przepustowość 86 GB/s, co jest zgodne ze standardem JEDEC na poziomie około 10, 667 Gb/s na pin. Teoretyczna prędkość maksymalna może osiągnąć około 14, 4 GB/s na pin, co odpowiada imponującej całkowitej przepustowości 115 GB/s. Oznacza to, że LPDDR6 stanowi znaczący skok generacyjny w stosunku do LPDDR5, napędzany innowacyjnymi udoskonaleniami technologii N2P firmy TSMC. Patrząc w przyszłość, LPDDR6 ma szansę stać się rozwiązaniem głównego nurtu w nadchodzącym roku, obiecując redefinicję branżowych benchmarków dla pamięci mobilnych.
Powiązane artykuły:
NVIDIA promuje hasło „Made in USA”, a Jensen Huang prezentuje pierwszy wafel chipowy Blackwell wyprodukowany przez TSMC w Arizonie
8:22
Dyrektor generalny NVIDIA Jensen Huang ogłasza spadek udziału w rynku chińskiego sektora sztucznej inteligencji z 95% do 0%
19:05
Proces 18A firmy Intel budzi optymizm w branży, plotki głoszą, że Microsoft wdroży tę technologię
18:16
Dodaj komentarz