SK Hynix prezentuje pierwsze na świecie 12-warstwowe próbki HBM4 o pojemności 36 GB i przepustowości 2 TB/s, a także demonstracje 12-Hi HBM3e i SOCAMM

SK Hynix prezentuje rozwiązania pamięci nowej generacji na GTC 2025

SK Hynix trafił na pierwsze strony gazet dzięki ogłoszeniu swoich innowacyjnych produktów pamięci 12-Hi HBM3E i SOCAMM, a także pierwszych na świecie próbek pamięci 12-Hi HBM4. Te osiągnięcia są częścią trwającego zaangażowania firmy w poszerzanie granic w zakresie rozwiązań pamięci o wysokiej wydajności dla zaawansowanego sprzętu komputerowego, szczególnie w sektorach AI i centrów danych.

Najnowsze produkty firmy We Hynix, których prezentacja odbędzie się podczas konferencji GTC 2025, która odbędzie się od 17 do 21 marca w San Jose w Kalifornii, obiecują zmienić oblicze komputerów o wysokiej wydajności.

12 modeli pamięci HBM Hi — Źródło obrazu: SK Hynix

Postęp w technologii pamięci AI

Na coraz bardziej konkurencyjnym rynku zdominowanym przez gigantów takich jak Samsung i Micron, We Hynix podniósł poprzeczkę, produkując SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) dla wydajnych procesorów AI firmy NVIDIA. Wykorzystując technologię pochodzącą ze standardu pamięci CAMM, nowy SOCAMM oferuje energooszczędne rozwiązanie DRAM zaprojektowane w celu znacznego zwiększenia pojemności pamięci i wydajności dla obciążeń AI.

Partnerstwo z firmą NVIDIA, zwłaszcza w odniesieniu do układu GB300 AI, stawia We Hynix w silnej pozycji względem konkurencji, zwiększając możliwości obu firm w zakresie wydajnej obsługi intensywnych procesów AI.

Próbki pamięci SK Hynix HBM4 — Źródło obrazu: SK Hynix

Kluczowe kierownictwo obecne na GTC 2025

Podczas wydarzenia GTC kadra zarządzająca We Hynix zaprezentuje najnowsze osiągnięcia firmy, a wśród prezentowanych postaci znajdą się takie osobistości, jak dyrektor generalny Kwak Noh-Jung, prezes Juseon Kim i szef globalnego działu S&M Lee Sangrak.

Firma SK Hynix zamierza zakończyć przygotowania do masowej produkcji 12-warstwowych produktów HBM4 w drugiej połowie roku, co pozwoli jej umocnić swoją pozycję na rynku pamięci AI nowej generacji.

Prezentowane 12-warstwowe próbki HBM4 charakteryzują się wiodącą w branży pojemnością i szybkością, co ma kluczowe znaczenie dla produktów pamięciowych AI.

Ten przełomowy produkt po raz pierwszy osiąga przepustowość umożliwiającą przetwarzanie ponad 2 terabajtów danych na sekundę, co odpowiada transmisji ponad 400 filmów w jakości Full HD (5 GB każdy) w ciągu zaledwie jednej sekundy, przewyższając prędkość swojego poprzednika, HBM3E, o ponad 60%.

Ponadto We Hynix wykorzystuje zaawansowany proces MR-MUF, aby zapewnić niespotykaną pojemność 36 GB, co czyni go najwyższym wśród 12-warstwowych produktów HBM. Proces ten nie tylko zwiększa stabilność produktu, ale także łagodzi odkształcenia chipów, co sprzyja lepszemu rozpraszaniu ciepła.

Perspektywy na przyszłość: Plany masowej produkcji i rozwoju

Oprócz zaprezentowania swojej najnowocześniejszej pamięci 12-Hi HBM4, która jest obecnie w fazie rozwoju, We Hynix planuje obsłużyć wiodących klientów, w tym NVIDIA, którzy zintegrują tę pamięć ze swoimi procesorami graficznymi z serii Rubin.12-Hi HBM4 ma dostarczać do 36 GB na stos z imponującymi szybkościami transmisji danych sięgającymi 2 TB/s.

Rozpoczęcie masowej produkcji tego zaawansowanego rozwiązania pamięci planowane jest na drugą połowę 2025 roku. Będzie ono wytwarzane w 3-nanometrowym procesie technologicznym TSMC, co pozwoli na osiągnięcie bezkonkurencyjnej wydajności i efektywności.

Więcej szczegółów znajdziesz u źródła.