Firma SK Hynix trafia na pierwsze strony gazet dzięki ambitnym planom wprowadzenia na rynek technologii DRAM 1c. To innowacyjne podejście ma podnieść standardy wydajności zarówno produktów DDR5, jak i HBM, pozycjonując firmę jako lidera na rynku układów pamięci.
SK Hynix wykorzystuje technologię EUV do obsługi technologii DRAM nowej generacji w celu zwiększenia wydajności i wydajności
Oczekuje się, że ta strategiczna inicjatywa znacząco wzbogaci ofertę We Hynix w sektorach pamięci konsumenckich i HBM. Co ważniejsze, otwiera ona drogę do rozwoju technologii DRAM nowej generacji, które prawdopodobnie będą wykorzystywać metody High-NA EUV.
Dla osób niezaznajomionych z litografią w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV) ważne jest, aby pamiętać, że technika ta wymaga skomplikowanych procesów. Działając z precyzyjnie sterowaną długością fali 13, 5 nm, EUV ma na celu rozwiązanie złożonych problemów związanych z obwodami, umożliwiając tworzenie drobniejszych detali przy jednoczesnej minimalizacji konieczności wykonywania wielu etapów wzorowania.
Oczekiwane wprowadzenie pamięci DRAM 1c, szczególnie po jej zintegrowaniu z pamięcią HBM4, obiecuje znaczną poprawę wydajności w niedalekiej przyszłości.
Powiązane artykuły:
Chip NVIDIA B30A „Blackwell” dla Chin: konstrukcja Dual-Die, 8-Hi HBM3E i proces TSMC N4P mają zostać wprowadzone na rynek w czwartym kwartale 2025 r.
10:58
Układ AI Alibaby rywalizuje z układem H20 firmy NVIDIA; już teraz szkoli modele AI w obliczu rosnącej konkurencji w Chinach o drużynę Green
10:26
Płyty główne Gigabyte X870E AORUS X3D zapewniają o 25% większą wydajność w grach dzięki trybowi X3D Turbo Mode 2.0 i kompatybilności z pamięcią DDR5-9000
9:08
Dodaj komentarz