SK hynix rozpoczyna masową produkcję 321-warstwowej pamięci flash QLC NAND do komputerów PC z innowacyjną technologią układania 32 warstw

Firma SK hynix oficjalnie ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji swojego przełomowego rozwiązania pamięci masowej QLC NAND Flash z 321 warstwami, które charakteryzuje się niezwykłą możliwością układania w stosy nawet do 32 warstw.

Prezentujemy 321-warstwową pamięć flash QLC NAND firmy We hynix: Nowa era w technologii pamięci masowej

To osiągnięcie stanowi kamień milowy, ponieważ jest to pierwszy na świecie przypadek wdrożenia ponad 300 warstw w technologii QLC (Quad-Level Cell), ustanawiając bezprecedensowy standard gęstości pamięci flash NAND. Firma planuje wprowadzić ten innowacyjny produkt na rynek w pierwszej połowie przyszłego roku, po pozytywnej walidacji przez globalnych klientów.

„Dokonamy ogromnego kroku naprzód jako dostawca pełnej pamięci AI, co jest zgodne z gwałtownym wzrostem zapotrzebowania na sztuczną inteligencję i wymogami wysokiej wydajności na rynku centrów danych”.

Widok z przodu i z tyłu układu pamięci SK hynix, model H25T4QM88G.

Aby przeciwdziałać potencjalnym problemom z wydajnością, które często towarzyszą technologiom NAND o dużej pojemności, firma We hynix udoskonaliła swoją konstrukcję, zwiększając liczbę płaszczyzn — niezależnych jednostek operacyjnych w układzie — z 4 do 6. Ta modyfikacja nie tylko umożliwia bardziej równoległe przetwarzanie, ale także znacząco poprawia możliwości jednoczesnego odczytu.

Udoskonalenia wprowadzone w 321-warstwowej pamięci QLC NAND pozwalają na zwiększenie pojemności i uzyskanie lepszych parametrów wydajności w porównaniu z wcześniejszymi iteracjami QLC. Warto zauważyć, że prędkość transferu danych wzrosła dwukrotnie – wydajność zapisu wzrosła nawet o 56%, a odczytu o 18%.Dodatkowo, efektywność energetyczna zapisu wzrosła o ponad 23%, co jest kluczowym czynnikiem dla utrzymania konkurencyjności w centrach danych skoncentrowanych na sztucznej inteligencji, gdzie oszczędzanie energii jest kluczowe.

Początkowo We hynix planuje zintegrować swoją 321-warstwową technologię NAND z dyskami SSD do komputerów PC, a następnie wdrożyć ją w dyskach SSD klasy korporacyjnej (eSSD) dla centrów danych oraz w rozwiązaniach Universal Flash Storage (UFS) dla smartfonów.

Źródło i obrazy