SK Hynix podważa 30-letnią pozycję Samsunga na rynku pamięci DRAM, notując rekordowy spadek udziału w rynku

SK Hynix rzuca wyzwanie Samsungowi na rynku pamięci DRAM, pozyskując kluczowych klientów HBM, takich jak NVIDIA

Od dziesięcioleci Samsung utrzymuje dominującą pozycję na rynku pamięci DRAM, stając się pierwszym wyborem w zakresie zaspokajania różnorodnych potrzeb klientów w zakresie pamięci na całym świecie. Jednak ostatnie wydarzenia wskazują na znaczącą zmianę dynamiki rynku, która może zmienić sytuację.

Samsung odnotował bezprecedensowy spadek udziału w rynku od czasu rozpoczęcia gromadzenia takich danych w 1999 roku. Firma odnotowała alarmujący spadek o 8, 8 punktu procentowego w ciągu zaledwie sześciu miesięcy, co doprowadziło do gwałtownego spadku jej udziału z 41, 5% do 32, 7%.Spadek ten przypisuje się przede wszystkim trudnościom Samsunga z pozyskaniem kontraktów na dostawy pamięci o dużej przepustowości (HBM), szczególnie z dużymi klientami, takimi jak NVIDIA. Chociaż firma podobno rozwija technologię HBM3E, konkretne dowody na odbicie udziału w rynku wciąż pozostają nieuchwytne.

SK Hynix rozpoczyna masową produkcję pierwszej na świecie 321-warstwowej pamięci flash NAND 4D opartej na technologii TLC 1

W niezwykłym przełomie, We Hynix zdobył 36, 3% udziału w rynku pamięci DRAM, oficjalnie wyprzedzając Samsunga po raz pierwszy od 33 lat. Ten wzrost napędzany jest rosnącym popytem na produkty HBM3 i HBM3E ze strony firmy NVIDIA i innych kluczowych producentów, co wskazuje na rosnący trend, który może jeszcze bardziej zachwiać tradycyjnymi strukturami wiodącej pozycji na rynku.

Wraz z tymi zmianami, krajobraz konkurencyjny w sektorze pamięci DRAM dynamicznie ewoluuje. Firmy muszą nieustannie wprowadzać innowacje i dostosowywać się do zmieniających się wymagań głównych klientów, aby utrzymać swoją pozycję. W miarę zaostrzania się walki o udział w rynku, interesariusze będą uważnie obserwować, jak każdy producent reaguje na nadchodzące wyzwania.

Źródło i obrazy