Firma SK Hynix ma zrewolucjonizować szybkość przetwarzania danych, łącząc do 16 warstw układów DRAM i NAND, wykorzystując innowacyjną technologię pionowego rozprowadzania danych (VFO).Ten postęp ma kluczowe znaczenie dla poprawy wydajności w różnych urządzeniach elektronicznych.
VFO zwiększa wydajność transmisji danych
Jak donosi ETNews, sukces pamięci masowej o dużej przepustowości (HBS) w dużej mierze zależy od metody pakowania VFO. Technologia ta, wprowadzona w 2023 roku przez We Hynix, łączy stosy układów DRAM i NAND w konfiguracji prostej, zamiast konwencjonalnego łączenia zakrzywionymi drutami. Taka konfiguracja minimalizuje straty transmisji danych i zwiększa wydajność transferu danych, co jest szczególnie istotne w obliczu rosnącej popularności generatywnej sztucznej inteligencji w smartfonach i tabletach.
Zalety technologii VFO są godne uwagi. Znacznie skracając długość okablowania i minimalizując straty i opóźnienia transmisji sygnału, VFO umożliwia obsługę większej liczby połączeń wejścia/wyjścia. To połączenie ulepszeń prowadzi do znacznego wzrostu wydajności przetwarzania danych. Technologia HBS została zaprojektowana z myślą o bezproblemowej współpracy z chipsetami smartfonów, które zostaną zintegrowane z płytą główną urządzenia. Chociaż szczegóły dotyczące obsługiwanych układów SoC (System-on-Chip) pozostają skąpe, przewiduje się, że Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro będzie obsługiwał zarówno technologie LPDDR6, jak i UFS 5.0, co czyni go silnym kandydatem do technologii HBS.
Konsekwencje finansowe związane z pamięcią masową o dużej przepustowości dla producentów
Jedną z najważniejszych zalet pamięci HBS jest niższy koszt produkcji w porównaniu z pamięcią o dużej przepustowości (HBM).W przeciwieństwie do pamięci HBM, która wymaga technologii TSV (Through Silicon Via), polegającej na fizycznym przebiciu chipa, HBS omija tę potrzebę. W konsekwencji prowadzi to do zwiększenia wydajności produkcji i obniżenia kosztów całkowitych, co prawdopodobnie spodoba się producentom rozważającym wdrożenie tego rozwiązania pamięci masowej.
Z kolei Apple podobno planuje wykorzystać HBM i TSV w swoich nadchodzących urządzeniach, dążąc do umożliwienia bardziej zaawansowanych funkcji AI lokalnie na iPhonie. W tym kontekście nie dziwi fakt, że Apple już bada HBS jako potencjalną opcję pamięci masowej w przyszłych modelach.
Więcej szczegółów można znaleźć w raporcie ETNews.
Więcej informacji i zdjęć znajdziesz na stronie Wccftech.
Powiązane artykuły:
Samsung Galaxy S26 Ultra ma największy wycięcie na aparat do selfie w historii serii Ultra
12:40
Wbudowany aparat Apple o rozdzielczości 100 MP z technologią LOFIC może wkrótce spotkać się z konkurencją
9:40
Samsung zamierza podnieść cenę Galaxy S26 Ultra wraz z premierą całej linii w lutym. Exynos 2600 nie będzie dostępny we wszystkich modelach
8:07
Dodaj komentarz