Samsung prezentuje pamięć LPDDR6 o przepustowości 10,7 Gb/s i dysk SSD PM9E1 M.2 22×42 Gen5 o przepustowości 14,8 GB/s na targach CES 2026

Samsung zamierza zaprezentować na targach CES 2026 swoje najnowocześniejsze rozwiązania w zakresie pamięci LPDDR6 i dysków SSD PM9E1 Gen5, a także szereg innych zaawansowanych technologii.

Samsung przygotowuje się do wprowadzenia na rynek pamięci DRAM LPDDR6 i dysku SSD PM9E1 Gen5 na targach CES 2026

Oczekiwania wobec targów CES 2026 rosną, ponieważ organizacja niedawno ogłosiła swoje tegoroczne nagrody za innowacyjność. Samsung jest w centrum uwagi, prezentując dwa przełomowe produkty: innowacyjną pamięć LPDDR6 i dysk SSD nowej generacji PM9E1 Gen5.

Rewolucyjne rozwiązania pamięci LPDDR6

W ramach strategicznego posunięcia Samsung wprowadzi na rynek swoje pierwsze produkty DRAM LPDDR6 w przyszłym roku. Wykorzystując zaawansowany proces produkcyjny 12 nm, firma obiecuje zapewnić przepustowość do 10, 7 Gb/s i znaczący wzrost efektywności energetycznej o 21% w porównaniu z poprzednimi rozwiązaniami LPDDR5.

Układ Samsung LPDDR6. — Źródło obrazu: Samsung (CES 2026)

Obecnie najszybszym rozwiązaniem pamięci Samsunga jest pamięć LPDDR5X. Oczekuje się, że nadchodząca pamięć LPDDR6 zwiększy prędkość transferu o imponujące 11, 5%, znacząco zwiększając przepustowość. Chociaż Samsung nie ogłosił jeszcze konkretnych pojemności pamięci, targi CES ujawnią te ekscytujące szczegóły.

Wraz z ciągłym rozwojem sztucznej inteligencji, przetwarzania brzegowego i platform mobilnych, zapotrzebowanie na szybszą, wydajniejszą i bezpieczniejszą pamięć sięga nowych szczytów. LPDDR6 to rozwiązanie pamięci nowej generacji, zaprojektowane z myślą o spełnieniu tych wymagań. Zbudowane w oparciu o zaawansowany proces technologiczny 12 nm, LPDDR6 obsługuje błyskawiczne prędkości transmisji danych do 10, 7 Gb/s i charakteryzuje się zwiększoną liczbą wejść/wyjść, co maksymalizuje przepustowość – idealne rozwiązanie dla aplikacji mobilnych intensywnie przetwarzających dane, przetwarzania brzegowego i zadań związanych ze sztuczną inteligencją.

Dynamiczny system zarządzania energią inteligentnie dostosowuje zużycie energii do obciążenia, zapewniając o około 21% lepszą efektywność energetyczną niż jego poprzednik. Pamięć LPDDR6 wprowadza również ulepszone mechanizmy bezpieczeństwa, chroniąc integralność danych, rozszerzając jej rolę poza rozwiązania mobilne, na środowiska przemysłowe i krytyczne dla misji środowiska AI. Dzięki skalowalnej, wieloplatformowej architekturze i ekologicznej konstrukcji, pamięć LPDDR6 zapewnia doskonałą równowagę między wydajnością, oszczędnością energii i niezawodnością – co czyni ją niezbędnym rozwiązaniem pamięci dla inteligentnych systemów przyszłości.

za pośrednictwem Samsunga

Przedstawiamy dysk SSD PM9E1 Gen5

Oprócz rewolucyjnej pamięci DRAM, Samsung zaprezentuje również długo oczekiwany dysk SSD PM9E1 Gen5. Ten kompaktowy dysk SSD w formacie M.2 22×42 charakteryzuje się wyjątkowymi parametrami wydajności, oferując prędkość odczytu do 14, 8 GB/s i prędkość zapisu do 13, 4 GB/s. Dzięki obsłudze pojemności do 4 TB wyróżnia się jako jeden z najszybszych dysków SSD Gen5 dostępnych w tak małej obudowie.

Samsung ujawnia, że dysk SSD PM9E1 Gen5 będzie korzystał z opatentowanego kontrolera „Presto” w połączeniu z najnowszą technologią pamięci flash V8 TLC V-NAND, co zapewni niezrównaną wydajność i trwałość.

PM9E1 M.2 22×42 to pierwszy na świecie dysk SSD PCIe Gen5 NVMe zoptymalizowany pod kątem sztucznej inteligencji w ultrakompaktowej obudowie M.2 o wymiarach 22 mm x 42 mm, zapewniający przełomową wydajność i efektywność przestrzenną. Zaprojektowany z myślą o grach premium, sztucznej inteligencji nowej generacji i zaawansowanych obliczeniach, PM9E1 oferuje wiodące w branży sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu do 14, 8 GB/s i 13, 4 GB/s. Dzięki pojemności do 4 TB – niespotykanej w tej klasie dysków – został zaprojektowany z myślą o systemach obliczeniowych o ograniczonej przestrzeni, bez kompromisów w zakresie wydajności.

Dysk PM9E1 M.2 22×42 jest napędzany autorskim kontrolerem „Presto” firmy Samsung i najnowocześniejszą pamięcią V8 TLC V-NAND, co zapewnia wyjątkową energooszczędność, responsywność i trwałość. Jego solidna architektura obsługuje bezpieczne operacje na danych z protokołem SPDM (Security Protocol and Data Model) v1.2, co zapewnia uwierzytelnianie na poziomie urządzenia i integralność oprogramowania układowego. Niezależnie od tego, czy chodzi o przyspieszenie zadań AI, czy strumieniowanie treści o ultrawysokiej rozdzielczości, dysk PM9E1 wyznacza przyszłość szybkiej, bezpiecznej i kompaktowej pamięci masowej.

za pośrednictwem Samsunga

Patrząc w przyszłość

Oczekuje się również, że Samsung przedstawi dalsze informacje na temat innych technologii, w tym pamięci GDDR7, podczas zbliżających się targów CES 2026. Warto śledzić zapowiedzi Samsunga w miarę zbliżania się targów CES 2026, ponieważ te zmiany mogą na nowo zdefiniować standardy wydajności w branży technologicznej.

Źródło i obrazy