
Ambitny proces produkcji układów scalonych Gate-All-Around (GAA) w procesie technologicznym 2 nm firmy Samsung jest gotowy do rozpoczęcia produkcji na pełną skalę, której rozpoczęcie planowane jest na koniec 2025 roku. Pomimo poważnych problemów w sektorze półprzewodników – w tym problemów z wydajnością, które skłoniły wielu klientów do zwrócenia się do TSMC w celu zaspokojenia swoich potrzeb produkcyjnych – firma odnotowała ostatnio przełomowy zwrot. Doniesienia wskazują, że Samsungowi udało się pozyskać monumentalny kontrakt o wartości 16, 5 miliarda dolarów na dostawę układów GAA w procesie technologicznym 2 nm, co stanowi istotny krok w kierunku odbudowania pozycji rynkowej.
Czas trwania umowy i perspektywy na przyszłość
Kontrakt, który rozpoczął się 24 lipca 2023 r., ma obowiązywać do 31 grudnia 2033 r., dając Samsungowi istotną szansę na zwiększenie wydajności produkcji układów scalonych GAA w procesie 2 nm w kolejnych latach. Stały rozwój technologii sztucznej inteligencji wskazuje, że popyt na te zaawansowane układy scalone będzie się utrzymywał, co dodatkowo wzmocni perspektywy Samsunga na rynku. Wcześniejsze szacunki sugerowały, że wydajność oscylowała w okolicach 30-40%, co, choć poniżej poziomów optymalnych, nadal wskazuje na postęp w porównaniu z wyzwaniami, przed którymi stała poprzednia technologia GAA w procesie 3 nm.
Chociaż niektóre raporty prognozują dwuletni popyt na układy GAA 2 nm, kontrakt ten ma charakter strategiczny i potencjalnie przyczynia się do około 7, 6% całkowitej sprzedaży Samsunga. Stanowi on fundament, na którym firma może budować dalsze postępy i relacje w branży półprzewodników.
Samsung wykorzystuje obecnie swój węzeł GAA 2 nm do przeprowadzania testów układu Exynos 2600, który niedawno został zaprezentowany w testach Geekbench 6. Z analizy branży wynika, że kontrakt ten potwierdza kompetencje technologii GAA 2 nm, co daje Samsungowi jeszcze większą szansę na otrzymanie zamówień, a tym samym zmniejszenie przewagi konkurencyjnej nad TSMC.
„Ta umowa jest bardzo obiecująca dla Samsung Electronics, który zmagał się ze stabilizacją wydajności i stracił rynek na rzecz TSMC w zaawansowanych procesach poniżej 3 nm. Ponieważ umowa ta dowodzi wydajności i technologicznego potencjału procesu 2 nm, spodziewany jest wzrost zamówień”.
Oprócz rozwoju technologii 2 nm GAA pierwszej generacji, Samsung podobno sfinalizował wstępny projekt procesu drugiej generacji. Co więcej, w ciągu dwóch lat planowane jest wprowadzenie wariantu trzeciej generacji, nazwanego „SF2P+”.Ten ciągły rozwój odzwierciedla zaangażowanie Samsunga w udoskonalanie technologii i pozyskiwanie zróżnicowanej klienteli w wysoce konkurencyjnym otoczeniu.
Więcej szczegółów znajdziesz w oryginalnym artykule Chosun.
Dodaj komentarz