Ambitne plany Samsunga dotyczące produkcji pamięci nowej generacji w 2026 roku
Samsung przygotowuje się do znaczących postępów w technologii pamięci, mając na celu uruchomienie produkcji nowej generacji pamięci o dużej przepustowości (HBM4), a także produktów o pojemności 24 GB GDDR7 DRAM i 128 GB+, których premiera planowana jest na rok 2026.
Najnowsze najważniejsze wyniki finansowe
W raporcie zysków za III kwartał 2025 roku Samsung odnotował znaczący wzrost przychodów o 15, 4%, osiągając łączną kwotę 86, 1 biliona KRW. Te rekordowe wyniki były napędzane głównie przez wzrost popytu na pamięć HBM3E i dyski SSD do serwerów, co w szczególności napędzało rozwój firmy dzięki rosnącemu dynamizmowi w dziedzinie sztucznej inteligencji.
Wprowadzenie procesora HBM4 nowej generacji i procesu 2 nm
Niedawno Samsung zaprezentował swoje zaawansowane rozwiązanie pamięci HBM4 o prędkości do 11 Gb/s na układ scalony (IC).Ten typ pamięci jest pozycjonowany jako znakomita opcja dla przyszłych akceleratorów AI od gigantów branży, takich jak NVIDIA i AMD, a w szczególności serii Rubin i MI400. Producenci układów AI podobno oceniają próbki tej najnowocześniejszej pamięci HBM4 pod kątem testów i kwalifikacji.
W związku z HBM4 firma Samsung koncentruje się na zapewnieniu stałych dostaw 2-nm procesu Gate-All-Around (GAA) i podstawowej matrycy HBM4 do 2026 roku. Technologia 2 nm ma usprawnić produkcję procesorów Exynos nowej generacji i układów SoC (System on Chips) firmy Qualcomm, a rozpoczęcie produkcji spodziewane jest w tym kwartale.
W czwartym kwartale 2025 roku firma będzie aktywnie reagować na popyt ze strony serwerów AI i konwencjonalnych, oferując HBM3E, dyski eSSD o wysokiej gęstości i inne najnowocześniejsze rozwiązania pamięciowe. Ponadto firma będzie nadal rozwijać sprzedaż wiodących w branży produktów pamięci serwerowej o wysokiej wartości dodanej, takich jak pamięć DDR5 o pojemności 128 GB i większej, a także pamięć GDDR7 o pojemności 24 GB.
W 2026 roku segment pamięci skoncentruje się na masowej produkcji produktów HBM4 o zróżnicowanej wydajności, dążąc jednocześnie do zwiększenia sprzedaży HBM. W szczególności prognozowany jest wzrost popytu na HBM4, a firma planuje proaktywnie zareagować, zwiększając moce produkcyjne w 1c. Skoncentruje się również na zwiększaniu sprzedaży innych produktów o wysokiej wartości dodanej, takich jak DDR5, LPDDR5x i dyski SSD QLC o wysokiej gęstości, aby sprostać zapotrzebowaniu na aplikacje AI.
W czwartym kwartale 2025 r.firma będzie dążyć do dalszej poprawy zysków poprzez zwiększenie masowej produkcji produktów Gate-All-Around (GAA) w procesie technologicznym 2 nm, zwiększenie wykorzystania fabryk oraz optymalizację kosztów.
W 2026 roku działalność Foundry Business skupi się na zapewnieniu stabilnych dostaw nowych produktów GAA 2 nm i matryc bazowych HBM4 oraz na terminowym uruchomieniu działalności w fabryce firmy w Taylor w Teksasie.
Przyszłe skutki produktów i trendy rynkowe
Samsung zidentyfikował kluczową rolę, jaką pamięć DDR5 o pojemności 128 GB i pamięć DRAM GDDR7 o pojemności 24 GB odegrają w 2026 roku. Oczekiwane wprowadzenie na rynek nowych platform serwerowych AMD i Intel w drugiej połowie 2026 roku powinno znacząco zwiększyć aktywność na rynku.
Prognozuje się, że popyt na pamięć GDDR7 utrzyma się na wysokim poziomie, szczególnie wśród użytkowników high-end i twórców kart graficznych AI. Niedawno zaprezentowany przez firmę NVIDIA procesor graficzny Rubin CPX jest idealnym kandydatem do wykorzystania tej pamięci, która może również obsłużyć nadchodzące produkty, takie jak seria NVIDIA RTX 50 „SUPER” oraz potencjalne odświeżenia kart AMD Radeon „RDNA 5” lub „RDNA 4”.24-gigabajtowe układy DRAM nie tylko zwiększą pojemność pamięci VRAM, ale także wypełnią luki w popularnych segmentach rynku.
Jednak palącym wyzwaniem, przed którym stoi obecnie rynek pamięci DRAM i dysków SSD, jest przytłaczająca koncentracja na sztucznej inteligencji (AI), co skutkuje wzrostem cen produktów przeznaczonych dla konsumentów. Ostatnie raporty wskazują na znaczny wzrost cen pamięci DDR5 i dysków SSD w obliczu rosnących niedoborów, co budzi obawy zarówno konsumentów, jak i producentów. Różni czołowi producenci pamięci DRAM poinformowali już o zbliżających się podwyżkach cen pamięci DDR5 i DDR4, co skłania do dalszej analizy sytuacji rynkowej w nadchodzących miesiącach.
Powiązane artykuły:
Windows 11 wdroży proaktywną diagnostykę pamięci podczas ponownego uruchomienia w celu identyfikacji problemów z pamięcią
9:04
AMD ogłasza zgodność z openSIL dla procesorów Zen 6 Ryzen „Medusa” na początku 2027 r., a procesorów EPYC „Venice” w 2026 r.
8:48
NVIDIA osiąga kapitalizację rynkową na poziomie 5 bilionów dolarów, a Jensen i zespół napędzają innowacje w dziedzinie sztucznej inteligencji
18:05
Dodaj komentarz