Samsung HBM4E obiecuje imponującą przepustowość 3,25 TB/s; prawie 2,5 razy szybszą niż HBM3E, zwiększającą wydajność obliczeń AI

Podczas niedawnego szczytu Open Compute Project (OCP) Global Summit firma Samsung wyłoniła się jako lider w sektorze produkcji pamięci, prezentując znaczące postępy w dziedzinie pamięci o dużej przepustowości (HBM), a w szczególności w nadchodzącej technologii HBM4E. Ta nowa generacja pamięci obiecuje znaczące udoskonalenia w porównaniu z poprzednikami.

Samsung HBM4E: skok w technologii pamięci o niezrównanej szybkości

Samsung aktywnie rozwija swoją ofertę pamięci HBM, ostatnio podpisując kluczowe kontrakty z czołowymi graczami na rynku, takimi jak NVIDIA i AMD. Podczas konferencji OCP firma przedstawiła przyszłość swojej serii pamięci HBM, podkreślając imponujące parametry zarówno pamięci HBM4, jak i pamięci HBM4E nowej generacji. Co istotne, pamięć HBM4E ma osiągać prędkość transmisji na poziomie 13 Gb/s na stos, co przekłada się na imponującą przepustowość 3, 25 TB/s, co stanowi znaczący wzrost wydajności.

Podczas prezentacji zaprezentowano pamięci Samsung HBM4 i HBM4E, ze szczególnym uwzględnieniem takich parametrów, jak gęstość na segment i zmiana procesu logicznego. — Szczegóły Samsung HBM4E | Źródło zdjęcia: Sedaily

Ponadto moduł HBM4E charakteryzuje się imponującą wydajnością energetyczną, osiągając podobno prawie dwukrotnie wyższą sprawność niż istniejący HBM3E. Proces HBM4 firmy Samsung wyznaczył również nowe standardy, osiągając prędkość pinów 11 Gb/s, przewyższając ustalone standardy określone przez organizacje takie jak JEDEC. To przełomowe osiągnięcie wpisuje się w zapotrzebowanie firmy NVIDIA na ulepszone rozwiązania HBM4, mające na celu poprawę wydajności architektury Rubin. Według lokalnych mediów, Samsung jest pionierem w tym zakresie.

Samsung Electronics, który wcześniej pozostawał w tyle za rywalami w sektorze HBM3E, od początku rozwoju HBM4 zaciekle dążył do zwiększenia przepustowości. Wraz z rosnącą popularnością HBM4 w konkurencji szybkości, strategia firmy opiera się na utrzymaniu dynamiki i przejściu na nową generację.– Sedaily

Oprócz zwiększenia wydajności, Samsung koncentruje się również na stworzeniu konkurencyjnej struktury cenowej dla dostaw modułów HBM4 dla firm takich jak NVIDIA. Dzięki zaawansowanej technologii półprzewodnikowej (4 nm) stanowiącej integralny element modułów HBM4, możliwości odlewni Samsunga pozwalają na lepszą kontrolę marży zysku z produkcji tych modułów.

Wprowadzenie na rynek technologii HBM4E przewiduje się na początek 2026 r., co zbiegnie się z rozpoczęciem masowej produkcji technologii HBM4.

Więcej szczegółów znajdziesz w źródle wiadomości: Sedaily.

Źródło i obrazy