Firma SK hynix przedstawiła ambitny plan technologiczny wykraczający poza rok 2029, obejmujący udoskonalenia w zakresie pamięci HBM5, GDDR7-next, DDR6 oraz rewolucyjnych rozwiązań NAND o ponad 400 warstwach 4D.
Plan rozwoju pamięci DRAM i NAND nowej generacji firmy SK hynix: kluczowe kierunki rozwoju na lata 2029–2031
Zapowiedź szczytu We AI Summit 2025 – Plan rozwoju pamięci DRAM i NAND (2026–2028)
W okresie poprzedzającym rok 2026-2028 firma We Hynix planuje wprowadzić pamięci HBM4 w konfiguracjach 16-Hi i HBM4E w wariantach 8/12/16-Hi, a także dostosowane rozwiązanie HBM. Celem tej inicjatywy jest znaczna poprawa wydajności pamięci.
Innowacyjne, niestandardowe rozwiązanie HBM przenosi kontroler HBM do rdzenia bazowego, optymalizując integrację różnych komponentów IP, takich jak protokoły. Ten strategiczny krok pozwala producentom układów GPU i ASIC na zwiększenie powierzchni krzemu dostępnej do obliczeń. Co więcej, ta dostosowana konstrukcja ma obniżyć pobór mocy interfejsu, zwiększając wydajność. We-hynix, we współpracy z TSMC, podejmuje kroki w kierunku tego rozwiązania HBM nowej generacji.
Rozwój pamięci NAND i przyszłe kierunki rozwoju
W obszarze pamięci NAND firma We hynix wprowadza standardowe rozwiązania, takie jak dyski PCIe Gen5 eSSD o pojemności przekraczającej 245 TB, wykorzystujące technologię QLC, a także dyski PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0 oraz udoskonalone rozwiązania „AI-N”NAND.
Przyszłe oczekiwania wobec technologii graficznych i pamięci
Nadchodzący standard GDDR7-next wskazuje na lukę w rozwoju dyskretnych kart graficznych. Początkowe wdrożenie GDDR7 będzie ograniczone do 30-32 Gb/s, osiągając maksymalnie 48 Gb/s. Biorąc pod uwagę przewidywany potencjał tego standardu, powszechne wykorzystanie w szczytowych momentach może nastąpić dopiero około 2027-2028 roku.
Ponadto planowane wprowadzenie pamięci DDR6 między 2029 a 2031 rokiem sugeruje, że użytkownicy tradycyjnych komputerów stacjonarnych i laptopów nie powinni spodziewać się usprawnień wykraczających poza DDR5 przez kilka kolejnych lat.
Pamięć flash o dużej przepustowości ma sprostać nowym wymaganiom sztucznej inteligencji w zakresie wnioskowania w technologiach komputerów osobistych nowej generacji. Interesujące będzie obserwowanie jej praktycznych zastosowań i skuteczności w scenariuszach z życia wziętych.
Pełna gama pamięci AI
– Obecne rozwiązania w zakresie pamięci stawiają na pierwszym miejscu obliczenia, jednak przyszłość zmierza w kierunku zróżnicowania roli pamięci, aby zwiększyć wykorzystanie zasobów obliczeniowych i rozwiązać wąskie gardła w wnioskowaniu sztucznej inteligencji.
– Wraz ze wzrostem rynku sztucznej inteligencji w kierunku wydajności i optymalizacji, rozwój HBM w kierunku produktów dostosowanych do indywidualnych potrzeb klientów będzie maksymalizował wydajność procesorów graficznych i układów ASIC, jednocześnie zmniejszając zużycie energii podczas przesyłania danych.
– Rozwój pamięci DRAM „AI-D” jest przykładem zaangażowania w poprawę zarówno kompatybilności, jak i wydajności. Obejmuje to:
- „AI-D O (Optymalizacja)” – pamięć DRAM o niskim poborze mocy i wysokiej wydajności, której celem jest obniżenie całkowitych kosztów posiadania i zwiększenie efektywności operacyjnej.
- „AI-D B (Przełom)” – rozwiązanie zapewniające pamięć o bardzo dużej pojemności z wszechstronnymi możliwościami alokacji.
- „AI-D E (Rozszerzenie)” – Rozszerzenie zastosowań pamięci DRAM na sektory robotyki, mobilności i automatyki przemysłowej.
Chociaż do pojawienia się tych innowacji potrzeba jeszcze kilku lat, nadchodzące osiągnięcia obiecują zrewolucjonizowanie rynku technologicznego, sprawiając, że warto czekać.
Źródło wiadomości: Harukaze5719
Powiązane artykuły:
Adeia składa pozew przeciwko AMD za naruszenie patentów na półprzewodniki, w tym za zaawansowaną technologię układania w stosy 3D w procesorach Ryzen X3D
20:14
Ceny procesorów Intel i AMD znacząco wzrosły na początku listopada; nie miało to wpływu na procesory obecnej generacji
19:15
Specyfikacja komputera Minisforum MS-R1 ujawniona: wyprodukowany w Chinach minikomputer Arm Cixin P1 z gniazdem PCIe x16
18:36
Dodaj komentarz