Pamięć G.Skill T5 NEO R-DIMM DDR5-6400 CL38 zapewnia wydajność podkręcenia i do 512 GB dla stacji roboczych AMD Ryzen Threadripper PRO

Pamięć G.Skill T5 NEO R-DIMM DDR5-6400 CL38 zapewnia wydajność podkręcenia i do 512 GB dla stacji roboczych AMD Ryzen Threadripper PRO

Firma G. Skill zaprezentowała swoją najnowszą innowację: podkręcane zestawy pamięci T5 NEO R-DIMM, zaprojektowane specjalnie dla procesorów AMD Threadripper PRO. Te najnowocześniejsze zestawy oferują imponującą prędkość DDR5-6400 i znaczną pojemność do 512 GB.

Moduł T5 NEO R-DIMM firmy G. Skill: przełom dla procesorów AMD Threadripper PRO

Informacja prasowa: Firma G. SKILL International Enterprise Co., Ltd.z dumą ogłasza wprowadzenie na rynek zaawansowanego rozwiązania pamięci T5 Neo DDR5-6400 CL38 512 GB (64 GB x 8) R-DIMM.

Ten zestaw pamięci został starannie zaprojektowany do użytku z procesorami AMD Ryzen Threadripper PRO i kompatybilnymi płytami głównymi z chipsetem AMD WRX90. Dzięki wykorzystaniu technologii podkręcania pamięci EXPO firmy AMD, zestaw pamięci T5 Neo DDR5 nie tylko osiąga wyjątkową prędkość, ale także gwarantuje wysoką pojemność i niezawodność, dzięki czemu idealnie nadaje się do profesjonalnych stacji roboczych.

Osiem kości pamięci RAM G. Skill z logo AMD EXPO zapewniających lepsze podkręcanie i lepszą wydajność.

Specyfikacja: DDR5-6400 CL38-48-48-102 512 GB (64 GB x 8)

Monitorowanie wydajności komputera z wyświetlaniem szczegółów dotyczących procesora i pamięci.

Doskonała konstrukcja zapewniająca lepszą wydajność

Moduły DDR5 R-DIMM z serii G. SKILL T5 Neo zostały zbudowane w oparciu o solidną, 16-warstwową płytkę PCB, przewyższając poprzednie generacje, które wykorzystywały 8 lub 10 warstw. To udoskonalenie w warstwowaniu PCB znacząco poprawia integralność sygnału, co przekłada się na większą niezawodność i stabilność, szczególnie podczas obliczeń o wysokiej wydajności lub podkręcania. Te cechy pozycjonują moduł T5 Neo jako doskonały wybór dla użytkowników wymagających wysokiej wydajności obliczeniowej w wymagających środowiskach stacji roboczych.

Pamięć RAM G. SKILL T5 Neo DDR5 z 16-warstwową płytką drukowaną, diodą TVS i bezpiecznikiem zapewniającym lepszą wydajność.

Solidne funkcje ochrony napięciowej

Aby zapewnić jeszcze większą stabilność, każdy moduł T5 Neo DDR5 R-DIMM jest wyposażony w dwie dwukierunkowe diody TVS oraz bezpiecznik. Elementy te chronią pamięć przed wahaniami i skokami napięcia, zapewniając tym samym optymalną pracę w różnych warunkach. To dodatkowe zabezpieczenie sprawia, że seria G. SKILL T5 Neo idealnie nadaje się do wymagających obciążeń i systemów komputerowych nowej generacji.

Dostępność

Długo oczekiwane zestawy pamięci G. SKILL T5 Neo DDR5-6400 CL38 512 GB (64 GB x 8) będą dostępne za pośrednictwem globalnych partnerów dystrybucyjnych G. SKILL od sierpnia 2025 r.

Źródło i obrazy

Dodaj komentarz

Twój adres e-mail nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *