Dział półprzewodników Samsunga przeżywa znaczący renesans, napędzany głównie rosnącymi cenami pamięci RAM i pamięci flash NAND, wynikającymi z ciągłych niedoborów podaży. Południowokoreański gigant technologiczny strategicznie wykorzystuje te sprzyjające warunki rynkowe, aby zwiększyć swoje zyski. Firma wyznaczyła ambitne cele, aby zapewnić solidną marżę zysku w nadchodzących latach, prognozując zysk operacyjny w wysokości 69 miliardów dolarów do 2026 roku – co stanowi imponujący wzrost o 121% w porównaniu z rokiem poprzednim. Aby osiągnąć ten ambitny cel finansowy, Samsung planuje zrewidować swoje strategie i metodologie produkcji w sektorze półprzewodników, dążąc do osiągnięcia imponującej marży zysku na poziomie 50%.
Przeniesienie uwagi na produkty o wysokiej marży: układ GAA 2 nm i pamięć DRAM
Zgodnie ze swoimi ambicjami maksymalizacji zysków, Samsung kieruje zasoby w stronę produktów o wysokiej marży, a pamięć DRAM zachowuje swoją pozycję lidera. Ostatnie wydarzenia, o których donosi ETNews, wskazują, że firma intensywnie inwestuje w swoją najnowocześniejszą pamięć DRAM szóstej generacji w procesie technologicznym 10 nm, znaną jako „1c”.Osiągnięcie wyższych wskaźników wydajności ma kluczowe znaczenie dla zwiększenia rentowności, chociaż obecnie oscylują one wokół 60%, znacznie poniżej docelowego progu 80-90%.
Oferta pamięci Samsunga stanowi główne źródło przychodów firmy, charakteryzując się imponującą marżą zysku na poziomie 50%, napędzaną rosnącym popytem na rynkach. Ponadto firma priorytetowo traktuje rozwój układów scalonych Gate-All-Around (GAA) w procesie technologicznym 2 nm, dążąc do zwiększenia zamówień na te układy o ambitne 130%.Według najnowszych szacunków rentowność tej technologii wynosi około 50%, co plasuje Samsunga na korzystnej pozycji w segmencie produkcji odlewniczej, z przewidywaną rentownością do 2027 roku.
Gwałtowny wzrost popytu na aplikacje sztucznej inteligencji (AI) zwiększa zyski operacyjne Samsunga z segmentu DRAM, przekraczając obecnie 50%.Jednak linia produktów pamięci o dużej przepustowości (HBM) firmy nie radzi sobie tak dobrze. Według najnowszych analiz, Samsung planuje skoncentrować się na zwiększeniu podaży pamięci DRAM do serwerów, aby poprawić marże zysku. Wraz ze stabilizacją wydajności produkcji HBM, firma planuje również przesunąć zasoby do tego segmentu. Oczekuje się, że ta strategiczna zmiana utrzyma się przez cały rok, napędzana branżowymi prognozami dalszego wzrostu cen pamięci do 2026 roku.
Więcej szczegółów można znaleźć w pełnym raporcie na stronie ETNews.
Dodatkowe materiały można znaleźć na stronie Wccftech.
Dodaj komentarz