AMD ujawnia najnowszy patent na zwiększoną wydajność pamięci dzięki wieloprocesorowej architekturze DRAM, co znacząco wpływa na korzyści dla układów APU

Firma AMD zaprezentowała niedawno innowacyjny patent skoncentrowany na zwiększeniu wydajności pamięci DRAM, który znacząco podwaja przepustowość pamięci bez konieczności stosowania szybszych układów DRAM. Zamiast tego, ten postęp wykorzystuje modyfikacje w logice modułowej.

Patent AMD zapewnia drastyczny wzrost przepustowości pamięci bez udoskonaleń w zakresie układów DRAM

Tradycyjnie modernizacja sprzętu wiąże się z pewnymi wyzwaniami, często wymagającymi znacznych modyfikacji architektury lub przeprojektowania układów logicznych i technologii półprzewodnikowych. Jednak najnowszy patent AMD wprowadza przełomową koncepcję zwaną „pamięcią DIMM o wysokiej przepustowości” (HB-DIMM), która skutecznie podwaja przepustowość pamięci DDR5 poprzez wprowadzenie prostszych, ale skutecznych zmian. Zamiast koncentrować się wyłącznie na rozwoju procesów DRAM, AMD pomysłowo połączyło sterowniki rejestru/zegara (RCD) z układami bufora danych, umożliwiając znaczny wzrost przepustowości pamięci.

Schemat układu oznaczonego FIG.3, przedstawiający elementy takie jak PLL, PC0 i PC1 ze zróżnicowanymi ścieżkami danych i prędkościami — Schemat patentu AMD na moduł HB-DIMM

Zagłębiając się w szczegóły techniczne, patent opisuje, w jaki sposób metodologia HB-DIMM omija bezpośrednie ulepszenia pamięci DRAM. Dzięki takim technikom, jak re-timing i multipleksowanie, przepustowość pamięci wzrasta z 6, 4 Gb/s na pin do imponujących 12, 8 Gb/s na pin. To podwojenie przepustowości następuje, ponieważ AMD wykorzystuje wbudowane bufory danych do łączenia dwóch strumieni DRAM o konwencjonalnej prędkości w jeden przyspieszony strumień skierowany do procesora, co poprawia ogólną wydajność.

Technologia ta jest dostosowana przede wszystkim do sztucznej inteligencji (AI) i podobnych aplikacji wymagających dużej przepustowości. Ponadto patent sugeruje intrygującą implementację dla przyspieszonych jednostek przetwarzania (APU) i zintegrowanych jednostek przetwarzania grafiki (iGPU).Proponuje on zastosowanie dwóch „wtyczek pamięci”: jednej wykorzystującej standardową strukturę fizyczną DDR5 PHY i drugiej oznaczonej jako HB-DIMM PHY. To hybrydowe podejście optymalizuje wykorzystanie pamięci; większa pula pamięci pochodzi ze standardowej pamięci DDR5, a kanał HB-DIMM jest zaprojektowany z myślą o szybkim transferze danych.

Schemat architektury GPU przedstawiający komponenty takie jak procesory poleceń, kontroler pamięci, pamięci podręczne i pamięć DDR — Integracja HB-DIMM w APU

W kontekście procesorów APU, ta innowacyjna strategia oferuje doskonałą responsywność w przypadku zadań AI na urządzeniu, wymagających znacznej przepustowości danych. Wraz ze wzrostem znaczenia AI brzegowej w konwencjonalnych środowiskach obliczeniowych, AMD może znacząco skorzystać na tym rozwoju. Warto jednak zauważyć, że zwiększona przepustowość pamięci może prowadzić do zwiększonego zużycia energii, co wymaga wydajnych rozwiązań chłodzących, aby sprostać temu zapotrzebowaniu.

Ogólnie rzecz biorąc, podejście HB-DIMM charakteryzuje się dużym potencjałem, skutecznie podwajając przepustowość pamięci i eliminując potrzebę udoskonalania technologii krzemowej DRAM.

Źródło i obrazy