TSMCは、A14（1.4nm）プロセスで高NA EUV技術を省略し、性能よりもコスト効率を優先

TSMCは、近日発売予定のA14チップの製造プロセスに高開口数（High-NA）EUVリソグラフィを導入しないことを発表しました。代わりに、同社は従来の開口数0.33のEUV技術を活用する予定です。

TSMCの戦略転換：高NA EUVよりも既存技術を優先

TSMCは長年にわたり半導体イノベーションのリーダーとして認められ、業界のベンチマークを頻繁に設定してきました。しかし、先日開催された北米テクノロジーシンポジウムにおいて、TSMCのケビン・チャン上級副社長は、A14製造プロセスにおいて高NA EUVリソグラフィを採用しないことを決定したことを明らかにしました。この決定は、既存の技術への依存を意味しており、Intel Foundryや一部のDRAMメーカーに競争優位性をもたらす可能性があります。

TSMCは、2028年に製造開始が予定されているA14チップのパターン形成に高NA EUVリソグラフィーを使用しません。2ナノメートルからA14までは高NAを使用する必要はありませんが、処理ステップに関しては同様の複雑さを維持し続けることができます。

私たちは、技術の世代ごとにマスクの増加を最小限に抑えるよう努めています。これは、費用対効果の高いソリューションを提供するために非常に重要です。

– TSMCのケビン・チャン

この決定は、半導体技術の進化という環境に対応しながら、生産プロセスにおける効率性と費用対効果を維持するというTSMCのコミットメントを強調するものです。この選択の影響は、半導体業界における競争のダイナミクスに大きな影響を与える可能性があります。

これは進化する物語です…。

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