SK hynix は、HBM5、GDDR7-next、DDR6、革新的な 400+ レイヤー 4D NAND ソリューションの進歩を特徴とする、2029 年以降まで続く野心的な技術ロードマップを発表しました。
SKハイニックスの次世代DRAMとNANDロードマップ：2029～2031年の主な開発
We AI Summit 2025 プレビュー – DRAM と NAND のロードマップ (2026-2028)
2026年から2028年にかけて、We hynixは、16-Hi構成のHBM4と、8/12/16-Hi構成のHBM4Eに加え、カスタマイズされたHBMソリューションを導入する予定です。この取り組みは、メモリ性能を大幅に向上させることを目指しています。
革新的なカスタムHBMソリューションは、HBMコントローラをベースダイに再配置することで、プロトコルなどの様々なIPコンポーネントの統合を最適化します。この戦略的な動きにより、GPUおよびASICメーカーはコンピューティングに利用可能なシリコン面積を拡大できます。さらに、このカスタマイズされた設計はインターフェースの消費電力を低減し、効率を向上させることが期待されています。We hynixはTSMCとの協力により、この次世代HBMソリューションの開発に取り組んでいます。
NANDの開発と将来の方向性
NAND分野では、QLC技術を活用し245TB超の容量を誇るPCIe Gen5 eSSDをはじめ、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0、AI強化型「AI-N」NANDソリューションなどの標準ソリューションをWe hynixは導入しています。
グラフィックスとメモリ技術の将来への期待
近々登場するGDDR7-nextは、ディスクリートグラフィックカードの進歩におけるギャップを示唆しています。GDDR7の初期展開では、30～32Gbpsに制限され、最大48Gbpsに達する見込みです。この規格の予測される潜在能力を考えると、ピーク容量での普及は2027～2028年頃まで実現しない可能性があります。
さらに、2029年から2031年の間にDDR6が導入される予定であることから、従来のデスクトップおよびラップトップPCのユーザーは、今後数年間はDDR5を超える機能強化を期待できないと考えられます。
高帯域幅フラッシュは、次世代のパーソナル コンピューティング テクノロジに対する新たな AI 推論の需要を満たす準備が整っており、実際のシナリオでその実用的なアプリケーションと有効性を観察することは興味深いでしょう。
フルスタックAIメモリラインナップ
– 現在のメモリ ソリューションはコンピューティングを優先していますが、将来はコンピューティング リソースの利用率を高め、AI 推論のボトルネックを解決するためにメモリの役割を多様化する方向にシフトしています。
– AI 市場の成長は効率化と最適化へと向かっており、HBM をカスタマイズ製品へと進化させることで、特定の顧客ニーズに応え、データ転送の電力消費を削減しながら GPU と ASIC のパフォーマンスを最大化します。
– 「AI-D」DRAMの開発は、互換性と性能の両方の向上に向けた取り組みを示すものです。これには以下が含まれます。
- 「AI-DO（最適化）」 – 総所有コストの削減と運用効率の向上を目的とした低消費電力、高性能の DRAM。
- 「AI-D B（ブレークスルー）」 – 多彩な割り当て機能を備えた超大容量メモリを実現するソリューション。
- 「AI-D E（拡張）」 – DRAM アプリケーションをロボット工学、モビリティ、産業オートメーション分野に拡張します。
これらのイノベーションが実現するのはまだ数年先ですが、差し迫った進歩はテクノロジー業界に大変革をもたらすことが期待されており、待つ価値は十分にあります。
ニュースソース: Harukaze5719
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