SK Hynix、7200 MT/s DDR5メモリを発表。2Gb B-Dieと4Gb M-Dieのバリエーションを用意

SK Hynix、ネイティブ速度最大7200 MT/sの高速DDR5チップを発表

SK Hynixは最近、7200 MT/sという驚異的なネイティブ速度を実現する新しいDDR5チップシリーズを発表し、メモリ市場で大きな話題となりました。これらの開発は様々なeコマースプラットフォームで注目されており、これらのチップがまもなく販売開始される可能性を示唆しています。

これらのDDR5モジュールを調べてみると、現在市場に出回っていない新しい部品番号が見つかります。これは、We Hynixが重要な製品発売に向けて準備を進めていることを示唆しています。

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部品番号	その	スピード	密度
H5CG48CKBD-X030	Cダイ	7200 MT/秒	2GB
H5CGD8AKBD-X021	アダイ	7200 MT/秒	3GB
H5CG58MKBD-X051	Mダイ	7200 MT/秒	4ギガバイト
H5CC48BKBD-X030	B-ザ	7200 MT/秒	2GB

注目すべきは、We Hynixが2GbのBダイモデルと、4Gb容量のMダイのアップデート版を発表したことです。4Gb Mダイの導入は、このプロセスノードでこれほどの容量密度を実現した初めての事例であるため、注目に値します。4Gbは、より大容量のDDR5モジュールで一般的に見られる16Gbや24Gbのダイと比べると容量は少ないかもしれませんが、これらのコンポーネントは高速かつ低密度のDDR5構成向けに設計されていると考えられます。

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これらの高性能DDR5 RAMモジュールが、特にオーバークロック時にこのような速度を達成・維持するには、少なくとも10層または12層のプリント基板（PCB）が必要であることに留意することが重要です。We Hynixはこれらの7200 MT/sメモリチップの市場投入をまだ正式に発表していませんが、予備調査の結果から、同社がDDR5メモリ市場において大きな前進を遂げようとしていることが確認されています。

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