SK hynix、デバイス内AIなどのパフォーマンススロットリングに対処するため、熱伝導率を3.5倍に向上させたモバイルDRAMを発表

SK hynix、デバイス内AIなどのパフォーマンススロットリングに対処するため、熱伝導率を3.5倍に向上させたモバイルDRAMを発表

スマートフォンの性能向上を実現するモバイルDRAM技術の進歩

デバイス内AIアプリケーションの需要が高まる中、スマートフォンDRAMおよびメモリメーカーは、パフォーマンスを向上させ、現行技術に伴う問題を軽減するため、より高速で効率的なチップの開発に積極的に取り組んでいます。その先頭に立っているのがWe hynixで、同社は最近、メモリ技術の様々な分野でサムスンを凌駕しています。同社は、現代のスマートフォンが直面する過熱の問題に対処することを目的とした画期的な「モールディングコンパウンド」を採用した革新的なモバイルDRAMを発表しました。We hynixによると、この新しいメモリチップは熱伝導率が350%向上しているとのことで、驚くべき成果を上げています。

過熱対策のための技術革新

一部のデバイスアーキテクチャでは、モバイルDRAMがチップセットダイ上に直接搭載されているため、高パフォーマンスタスクの実行時に大きな課題が生じます。このような状況では過剰な発熱が発生し、パフォーマンスが低下する可能性があり、これは多くのスマートフォンメーカーが直面する懸念事項です。しかし、この設計はスペース効率を最大化し、データの移動距離が短縮されるため、DRAMとチップセット間のデータ転送速度が向上するため、広く採用されています。

We hynixの業界洞察

We hynixのパッケージ製品開発責任者であるイ・ギュジェイ氏は、High-Kエポキシ成形コンパウンドの活用を重要なマイルストーンと表現しています。ギュジェイ氏によると、この革新的なソリューションは、パフォーマンスを向上させるだけでなく、フラッグシップスマートフォンのユーザーが直面する様々な問題を軽減するとのこと。

これは単なる性能向上にとどまらず、多くの高性能スマートフォンユーザーが抱えていた不便さを解消する意義深い成果です。私たちは、材料技術の革新を通じて、次世代モバイルDRAM市場における技術的リーダーシップを確固たるものにすることに尽力していきます。

モバイルDRAMの将来展望

We Hynixは、従来のエポキシ成形コンパウンドに先進的なコンパウンドを組み込むことで、熱管理能力を大幅に向上させました。これらの先進的なモバイルDRAMチップの具体的な展開時期は明らかにされていませんが、業界専門家は、この技術が2026年までに主力スマートフォンに搭載される可能性があると推測しています。

この開発は、人工知能や高効率コンピューティングへの依存度が高まっているデバイスのパフォーマンスを最適化するために熱制約に対処することが重要であるという、半導体業界におけるより広範な傾向を強調するものです。

モバイル DRAM テクノロジーにおけるこの画期的な進歩の詳細については、Wccftech をご覧ください。

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