SK hynix は、最大 32 層という驚異的なスタッキング容量を特徴とする画期的な 321 層 QLC NAND フラッシュ ストレージ ソリューションの量産開始を正式に発表しました。
We hynixの321層QLC NANDフラッシュを発表：ストレージ技術の新時代
この開発は、QLC（Quad-Level Cell）技術を用いて300層以上を実装した世界初の事例であり、NANDフラッシュの高密度化において前例のない基準を確立する重要なマイルストーンとなります。当社は、世界中の顧客による検証を経て、この革新的な製品を来年上半期に発売することを目指しています。
「データセンター市場におけるAI需要の爆発的な増加と高性能要件に合わせて、フルスタックAIメモリプロバイダーとして大きく飛躍していきます。」
大容量NANDテクノロジーにしばしば伴う潜在的なパフォーマンス問題に対処するため、We hynixはプレーン（チップ内の独立した動作ユニット）の数を4から6に増やすことで設計を強化しました。この変更により、並列処理が向上するだけでなく、同時読み取り機能も大幅に向上します。
321層QLC NANDの進化により、従来のQLC NANDと比較して、容量の増強と優れたパフォーマンスを実現しました。特にデータ転送速度は2倍に向上し、書き込み性能は最大56%、読み出し性能は18%向上しました。さらに、書き込み電力効率は23%以上向上しており、これは省電力化が不可欠なAI中心のデータセンターにおいて競争力を維持する上で重要な要素となります。
We hynix は当初、321 層 NAND テクノロジを PC SSD に統合し、その後、データセンター向けのエンタープライズ SSD (eSSD) やスマートフォン向けのユニバーサル フラッシュ ストレージ (UFS) ソリューションに展開する計画です。
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