SKハイニックスは、垂直ワイヤファンアウト（VFO）と呼ばれる革新的な技術を活用し、最大16層のDRAMとNANDチップを積層することで、データ処理速度に革命を起こす予定です。この進歩は、様々な電子機器の性能向上に不可欠です。
VFOはデータ伝送効率を向上します
ETNewsの報道によると、高帯域幅ストレージ（HBS）の成功はVFOパッケージング方式に大きく依存しています。We hynixが2023年に導入したこの技術は、従来の湾曲したワイヤボンディングではなく、DRAMとNANDのチップスタックを直線構成で接続します。この構成はデータ伝送ロスを最小限に抑え、データ転送効率を向上させるため、スマートフォンやタブレットにおける生成AIの普及が進む中で特に重要になります。
VFOの利点は顕著です。配線距離を大幅に短縮し、信号伝送の損失と遅延を最小限に抑えることで、VFOはより多くのI/O接続を可能にします。これらの改善の組み合わせにより、データ処理性能が大幅に向上します。HBSは、デバイスのロジックボードに統合されるスマートフォンチップセットとシームレスに連携するように設計されています。対応システムオンチップ（SoC）の詳細はまだ不明ですが、Snapdragon 8 Elite Gen 6 ProはLPDDR6とUFS 5.0の両方のテクノロジーをサポートすると予想されており、HBSの有力な候補となっています。
製造業における高帯域幅ストレージのコストへの影響
HBSの最も大きなメリットの一つは、高帯域幅メモリ（HBM）と比較して製造コストが低いことです。チップを物理的に貫通するシリコン貫通ビア（TSV）技術を必要とするHBMとは異なり、HBSではこの必要性がありません。その結果、製造歩留まりの向上と全体的なコストの削減につながり、このストレージソリューションの導入を検討しているメーカーにとって魅力的な選択肢となるでしょう。
一方、Appleは、iPhone上でより堅牢なAI機能をローカルに実現することを目指し、次期デバイスにHBMとTSVを採用する計画があると報じられています。こうした状況を踏まえると、Appleが将来のモデルにおけるストレージオプションとしてHBSを既に検討していることは驚くべきことではありません。
詳細については、ETNewsレポートをご覧ください。
詳細情報と画像については、Wccftech ソースを参照してください。
コメントを残す