先日開催されたOpen Compute Project（OCP）グローバルサミットにおいて、Samsungは高帯域幅メモリ（HBM）における画期的な進歩、特に近日発売予定のHBM4Eテクノロジーを発表し、メモリ製造分野のリーダーとしての地位を確立しました。この新世代メモリは、従来製品に比べて飛躍的な性能向上が期待されています。
サムスンのHBM4E：比類のない速度を誇るメモリ技術の飛躍
SamsungはHBM製品の拡充を積極的に進めており、最近ではNVIDIAやAMDといった大手企業と重要な契約を締結しました。OCPイベントでは、HBMシリーズの将来的な方向性を明らかにし、HBM4と次世代HBM4Eの優れた仕様を強調しました。特に、HBM4Eはスタックあたり13Gbpsのピン速度、つまり驚異的な3.25TB/sの帯域幅を実現する予定であり、これはパフォーマンス指標の大幅な向上となります。
さらに、HBM4Eモジュールは優れた電力効率を誇り、既存のHBM3Eのほぼ2倍の効率を達成したと報告されています。SamsungのHBM4プロセスは、JEDECなどの組織によって定義された既存の標準を上回る11Gbpsのピン速度を達成し、新たなベンチマークを打ち立てました。この画期的な進歩は、NVIDIAがRubinアーキテクチャのパフォーマンスを向上させるために強化されたHBM4ソリューションを求めていることと一致しており、地元メディアによると、Samsungはこの進歩を先駆的に進めてきたとのことです。
サムスン電子は、HBM3E分野で競合他社に遅れをとっていたが、HBM4の開発開始以来、より高い帯域幅の実現に精力的に取り組んできた。HBM4における速度競争が成功に近づくにつれ、同社は次世代への進化に向けて勢いを維持する戦略をとっている。- Sedaily
Samsungは、性能向上に加え、NVIDIAなどの企業へのHBM4供給において、競争力のある価格体系の確立にも注力しています。HBM4には高度な半導体技術（4nm）が不可欠な要素であり、Samsungの社内ファウンドリ能力により、これらのモジュールの生産における利益率のより優れた管理が可能になります。
HBM4Eの市場導入については、HBM4技術の量産スケジュールに合わせて、2026年初頭にデビューする予定です。
詳細については、ニュースソース：Sedailyを参照してください。
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