報道によると、NVIDIAとTSMCが先進的なシリコンフォトニックチップのプロトタイプを発表

報道によると、NVIDIAとTSMCが先進的なシリコンフォトニックチップのプロトタイプを発表

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台湾からの最近の報道によると、NVIDIA と TSMC が最先端のシリコン フォトニクス チップのプロトタイプで協力しているとのこと。TSMC は世界有数の契約チップ製造業者として知られ、特にインテルの継続的な課題を踏まえて、最先端のチップ製造業者としての地位を強化しています。シリコン フォトニクスは、従来の電子回路とフォトニック回路を統合する画期的な製造方法であり、従来の半導体製造に見られる固有の限界に対処します。プロトタイプは昨年末に開発されたと考えられており、両社は AI チップのパフォーマンス向上を目的とした光学パッケージング技術を積極的に研究しています。

チップ技術の進歩: シリコンフォトニクスの役割

TSMC の技術進歩の最前線にあるのが、2 ナノメートル プロセス ノードです。このイノベーションは、最小ゲート ピッチとメタル ピッチがそれぞれ 45 ナノメートルと 20 ナノメートルという特徴があります。半導体設計では、ゲート ピッチはチップ上の隣接するゲート間の間隔を示し、メタル ピッチはメタル相互接続間の距離を示します。ゲートはトランジスタ内の電子の流れを制御し、相互接続はチップ上のトランジスタ間の通信を容易にします。

2 ナノメートル ノードに関連する課題は、TSMC などのチップ製造業者にとって大きなハードルであることを強調しています。これらの距離を短縮する技術がますます高度化すると、チップあたりのトランジスタ数の拡張性が複雑になるためです。これらの障壁を軽減するために、業界では実行可能なソリューションとしてシリコン フォトニクスに注目が集まっています。

シリコンフォトニクスは、チップ内部の通信に電子の代わりに光子(光の粒子)を利用するフォトニックトランジスタ(集積回路)を採用しています。この技術は帯域幅と周波数の能力が強化されており、データ処理速度が加速され、容量が増加します。

シリコンフォトニックトランジスタ
CMOS ウェーハ上の従来のフォトニック トランジスタとシリコン フォトニック トランジスタ。出典: Grenouillet 他 (2010)。「CMOS 互換 III-V/SOI テクノロジを使用した光ネットワーク オン チップの実現に向けて」固体デバイスおよび材料 (SSDM) カンファレンス、東京。DOI: 10.7567/SSDM.2010.D-6-2。

これらのトランジスタは、非常に優れた製造技術を必要とせずに処理速度を向上させることができるため、特に高度なチップ製造からの収益が頭打ちになり始めている現在、シリコンフォトニクスは業界関係者にとって魅力的な焦点となっています。

台湾のニュースメディア UDN の記事では、NVIDIA がこの革新的なアプローチに強い関心を持っていることが強調されています。同記事では、NVIDIA と TSMC が昨年末までに初のシリコン フォトニック チップのプロトタイプの作成に成功したと報告されています。さらに、両社は高度なパッケージング ソリューションと並行して、光電子統合技術の研究も進めています。

光電子統合は、レーザーやフォトダイオードなどの光を操作するコンポーネントとトランジスタなどの電子コンポーネントを統合されたウェーハ上で融合することにより、シリコンフォトニクスを補完します。

TSMC は NVIDIA の主要製造パートナーとして、一貫して信頼性の高い生産量と高い歩留まり率を実現し、トップ テクノロジー企業の好まれる協力者としての評判を確立してきました。NVIDIA の AI チップはパフォーマンスで市場をリードしていますが、パッケージング容量の制限と生産コストの上昇により、その入手性が制限されています。

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