
Micron Technology は、NVIDIA と連携して高性能コンピューティング向けの高度なメモリ ソリューションを提供し、再びメモリ イノベーションの最前線に立っています。特に、これらの製品は HGX B300 NVL16 や GB300 NVL72 などのチップを強化し、メモリ テクノロジーの大きな進歩をもたらします。
マイクロンの最先端のメモリソリューション: AI パフォーマンス強化のための 12H HBM3E および SOCAMM メモリの導入
重要なリリースの 1 つに、NVIDIA の GB300 Grace Blackwell Ultra スーパーチップ専用に設計された Micron の LPDDR5X SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) があります。これを補完する Micron の 12H HBM3E 36 GB メモリ チップは、NVIDIA の HGX B300 NVL16 および GB300 NVL72 プラットフォームに搭載され、効率を大幅に向上させます。

最近の GTC イベントで展示された、NVIDIA が新たに発表した Blackwell チップは、HGX B200 および GB200 NVL72 モデル向けに Micron の強力な 8-High 24 GB HBM3E チップを活用しています。新しい 12-High HBM3E メモリ構成は、12 個の DRAM ダイを垂直に積み重ね、8-High の同等品と比較して 12 GB も大きなメモリ容量を実現しています。このような機能強化は、メモリを大量に使用する AI 操作にとって極めて重要であり、GPU はメモリを 50% 増やすことでかなりのワークロードを処理できるようになり、最終的には Meta の Llama 405B などの AI モデル全体を単一の GPU で処理できるようになります。
さらに、12H HBM3E メモリは、容量の追加だけでなく、帯域幅の向上も実現し、消費電力は 20% 削減されます。この効率性は、パフォーマンスと省電力の両方が重要な役割を果たすデータ センターの運用に特に役立ちます。

LPDDR5X ベースの SOCAMM は、高性能コンピューティング (HPC) に最適な選択肢として際立っています。わずか 14 x 90 mm のコンパクトなサイズで、従来の RDIMM に必要なスペースの 3 分の 1 しか占有せず、16 ダイ スタックの LPDDR5X メモリによりモジュールあたり最大 128 GB をサポートできます。この設計は、スペースを最適化するだけでなく、標準の RDIMM よりも 2.5 倍以上の帯域幅を提供し、電力効率が大幅に向上しています。
現在、Micron は、NVIDIA の Blackwell RTX 50 シリーズ GPU 用の GDDR7 メモリ、大容量 DDR5 RDIMM および MRDIMM、HBM3E および SOCAMM テクノロジを含む強力なポートフォリオを誇っています。さらに、Micron 9550 NVMe や 7450 NVMe SSD などの Micron の最先端のストレージ ソリューションは、メモリとストレージ テクノロジにおける同社のリーダーシップをさらに強化します。一方、競合製品としては、Samsung が最近発売した主力製品 9100 PRO SSD があります。この SSD は、PCI-E 5.0 規格を利用して、最大 14, 800 MB/秒という驚異的なシーケンシャル読み取り速度を実現します。
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