マイクロン、DDR5 のパフォーマンス向上を目指して初の 1γ DRAM ノードを発表

Micron Technology は、10nm クラスの DRAM ノードに基づく画期的な第 6 世代 DDR5 メモリの発売で注目を集めています。この開発により、Micron は産業および消費者市場の最前線に立つことになります。

マイクロンの第6世代DRAMによる効率とパフォーマンスの向上

プレスリリース：Micron Technology, Inc.は、エキサイティングな発表の中で、業界で初めて 1γ (1-ガンマ)、第 6 世代 DDR5 メモリのサンプル出荷を開始したことを明らかにしました。この次世代 DRAM は、高度な CPU 向けにカスタマイズされており、最初に選ばれた顧客とエコシステムパートナーに配布されます。Micron は、1α (1-アルファ) ノードと 1β (1-ベータ) ノードでのこれまでの進歩を基に、クラウドインフラストラクチャから産業用アプリケーション、さらにはスマートフォンやスマートビークルなどの消費者向けデバイスやエッジ AI テクノロジーまで、コンピューティングの次の波を推進します。

Micron 1γ DRAM ノードの初期導入では 16Gb DDR5 DRAM を活用し、徐々に Micron のメモリポートフォリオ全体に統合を拡大します。この戦略的な動きは、特に AI アプリケーションにおける、高性能でエネルギー効率の高いメモリソリューションに対する業界の高まるニーズに対応します。この 16Gb DDR5 製品は、最大 9200MT/s という驚異的な速度性能を誇り、前世代製品と比較して速度が 15% 向上し、消費電力が 20% 以上減少しています。

マイクロンの1γ DRAMノードが重要な理由

データセンターやネットワークエッジにおける AI の台頭に伴い、高度なメモリソリューションの需要が急増しています。Micron の 1γ DRAM ノードへの移行により、顧客が直面するいくつかの重要な課題が解決されます。

強化されたパフォーマンス: Micron 1γ ベースの DRAM はパフォーマンスを強化し、さまざまなメモリ製品にわたってより高いコンピューティング機能を実現します。これは将来の AI ワークロードにとって重要です。
省電力:次世代の高 K メタルゲート CMOS テクノロジーと設計の強化により、1γ ノードでは消費電力が 20% 以上削減され、熱管理が改善されます。
ビット密度の向上: EUV リソグラフィーと革新的な設計の改善を活用することで、1γ ノードは前世代と比較してウェーハあたりのビット出力が 30% 以上増加し、メモリ供給の効率的なスケーリングが可能になります。

Micron は、複数世代にわたる DRAM 技術の豊富な専門知識を活用して、最適化された 1γ ノードを開発しました。このイノベーションは、次世代の高 K メタルゲート技術を活用した CMOS のブレークスルーに依存しています。このような進歩により、トランジスタのパフォーマンスが向上し、速度機能が改善され、大幅な電力節約とスケーリングの強化が可能になります。

最先端の EUV リソグラフィーと高アスペクト比エッチング技術および革新的な設計を統合することにより、1γ ノードは比類のないビット密度の利点を提供します。 1γ ノードを世界中の複数の製造拠点で開発することで、Micron の技術進歩とサプライチェーンの回復力への取り組みがさらに強化されます。

クラウドからエッジまで変革をもたらす製品

1γ ノードは、Micron のメモリポートフォリオ全体を強化する基礎技術として機能し、さまざまな分野に影響を与えます。

データセンター:データセンター向けの 1γ ベースの DDR5 メモリソリューションは、最大 15% のパフォーマンス向上とエネルギー効率の向上を約束し、将来のラック展開における電力および熱設計を最適化するための継続的なサーバーパフォーマンスの拡張を可能にします。
エッジ AI: 1γ 低電力 DRAM ソリューションは、エネルギー節約を強化するだけでなく、帯域幅の増加も実現し、エッジ AI アプリケーションでのユーザーエクスペリエンスを充実させます。
- AI PC: 1γ DDR5 SODIMM は、パフォーマンスを向上させながら消費電力を 20% 削減し、バッテリー寿命を効果的に延ばし、ラップトップでのユーザーエクスペリエンスを強化します。
- モバイルデバイス: 1γ LPDDR5X の導入により、Micron はモバイルテクノロジー分野をリードし続け、エッジでの優れた AI アプリケーションを実現します。
- 自動車: 1γ LPDDR5X メモリは容量、耐久性、パフォーマンスを強化し、最大 9600MT/s の速度を実現します。

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