Intel 18AプロセスはTSMC N2に匹敵するSRAM密度を達成。Team Blueは驚異的な復活に備える

最近の報告によると、Intel の 18A プロセスは TSMC の N2 テクノロジーに匹敵する SRAM 密度レベルを達成しており、これは Intel の進歩した半導体能力を示す重要なマイルストーンです。

インテルの 18A プロセスと BSPDN のようなイノベーションの重要性

Intel のチップアーキテクチャの開発が進むにつれ、同社の将来に対する楽観的な見方が高まっています。国際固体回路会議 (ISSCC) での最近の議論では、Intel と TSMC は SRAM 密度の点でほぼ互角であり、半導体製造の競争環境を一変させる可能性のある注目すべき進歩が遂げられていることが明らかになりました。

@ieee_issccセッション 29: SRAMに参加しました

1 番目の論文: $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM 2 番目の論文: $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM 3 番目の論文: @Mediatek 3nm TCAM 4 番目の論文: @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM

それはバトルロワイヤルです。

— 𝐷𝑟。イアン・カトレス (@IanCutress) 2025年2月19日

18A プロセスがもたらす可能性を詳しく検討する中で、その画期的なイノベーションの 1 つである Backside Power Delivery Network (BSPDN) について取り上げることは重要です。この先駆的なテクノロジーは、電力供給をウェハの前面から背面に再配置し、電力効率と信号整合性の向上をもたらします。これらはどちらも、現代の半導体パフォーマンスにとって重要な要素です。

インテルがTSMCを誘致か — オレゴン州ヒルズボロのインテル製造施設で、インテル工場の従業員が3D積層Foverosテクノロジーを搭載したウエハーを手に持っている（2023年12月）。2024年2月、インテルはIntel Foundryを発表し、AI時代に合わせた世界初のシステムファウンドリーとして位置づけ、テクノロジーのリーダーシップ、回復力、持続可能性を重視している。（クレジット：インテルコーポレーション）

Intel の 18A の高密度バージョンは、大規模なアレイ構成で 38.1 Mb/mm² という驚異的なマクロビット密度を達成すると報告されています。SRAM セルの配置のばらつきが密度の結果に影響を及ぼす可能性はありますが、18A プロセスの見通しは非常に明るいようです。ただし、この新しいテクノロジの有効性を完全に評価するには、実際のチップ製造パフォーマンス、特に歩留まり率を監視することが重要です。

一方、TSMC も N2 プロセスで大きな進歩を遂げ、Gate-All-Around (GAA) テクノロジへの移行により SRAM 密度が 12% 向上しました。高性能 SRAM の機能強化により、密度が 18% も向上しました。この改善の鍵は、従来の FinFET から N2「ナノシート」構造への移行にあり、これにより製造プロセスのカスタマイズと精度が向上しました。

TSMC と Intel の競争は激化しており、半導体のイノベーション環境はさらに熾烈になることが予想されます。しかし、これらの進歩の最終的な試金石は、サプライチェーンへの統合と実際の市場でのパフォーマンスにあります。

出典と画像