中国の半導体産業は、米国議会がリソグラフィー工程に不可欠なASML社の重要機器の輸出禁止に向けた取り組みを進めていることから、重大な混乱に直面する瀬戸際に立たされている。
米議員、ASMLのDUV技術の中国への輸出禁止を提案、ファーウェイ、SMICなどを標的に
中国は長期間にわたり、特に半導体産業において、米国が課す輸出規制に苦慮してきた。米国政府がオランダのASML社製極端紫外線（EUV）装置の輸出を間接的に禁止したことで、状況はさらに悪化した。この措置を受けて、北京は自給自足型の半導体サプライチェーン構築に向けた取り組みを強化した。しかし、こうした規制は中国の半導体製造技術の進歩を阻害し、事実上、同国の技術レベルを5nmに制限している。こうした課題を踏まえ、外交委員会は最近のプレスリリースで、深紫外線（DUV）技術への輸出禁止を拡大することを目的としたMATCH法案に関する議論が現在進行中であることを強調した。
この超党派法案は、米国の輸出規制を近代化し、敵対国が米国や同盟国から、自国では製造できない「ボトルネック」となる半導体製造装置（SME）技術を購入できないようにするものです。
MATCH法は、同盟国間の輸出規制の調和を促進し、サービス提供や特定の企業に対する抜け穴を塞ぐことで、中国とのAI競争における米国の技術的優位性を維持する。
– ジム・リッシュ米上院議員
中国の半導体業界において、DUVリソグラフィ装置が果たす重要な役割を理解することは不可欠です。この技術は、国内の製造施設（ファブ）にとって唯一実現可能な選択肢となっています。ファーウェイ、SMIC、華虹といった中国の半導体大手企業に加え、CXMTやYMTCといったメモリチップメーカーも、事業運営においてDUV技術に大きく依存しています。例えば、SMICはASMLのDUV装置を用いて、マルチパターニング技術によりN+1/N+2 7nmクラスのプロセスを実現しています。一方、CXMTとYMTCはメモリ生産能力の強化にDUV装置を活用しています。したがって、DUV技術に対するいかなる禁止措置も、これらの企業の生産能力拡大の取り組みを著しく阻害する可能性があります。
MATCH法案は、深紫外（DUV）浸漬技術の「販売またはサービス」に対する規制を提案しており、こうした機器が中国の軍事能力向上に利用されていると主張している。また、同法案は、前述のDUV技術を利用するすべての中国企業に対し、既存の企業法と同様の制限を課し、国際市場へのアクセスを制限することを提案している。MATCH法案は現在立法過程にあり、まだ成立には至っていないものの、その成立は中国の半導体サプライチェーンの重要な分野に深刻な影響を与える可能性を示唆している。
興味深いことに、中国国内サプライヤーからのDUV調達は今後数四半期で増加すると予測されており、CXMTやYMTCなどの企業は新たな生産設備に多額の投資を行っている。しかし、ASMLの最新の財務報告によると、中国での収益（主にDUV販売によるもの）は同社の総収益の約20%を占めている。MATCH法によって規制が正式に導入される可能性があり、ASMLは世界最大の半導体市場の一つへのアクセスに制限を受けるため、新たな地政学的課題に直面する可能性がある。
中国のDUV技術への依存度はここ数年で高まっている。国内半導体業界は自社製リソグラフィ装置の開発において大きな進歩を遂げてきたものの、その取り組みは主に28nmプロセスなどの旧来の技術に集中している。ハイエンドプロセスは依然としてASMLの革新的な技術に大きく依存しており、米国の法制化措置が中国の半導体製造業に及ぼす影響は特に深刻である。
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