TSMCとサムスンが2nm技術の先行導入を競い合う中、半導体業界の覇権争いは激化している。一方、日本からはラピダスが有力候補として浮上し、最先端リソグラフィーにおける日本の存在感を高めている。ラピダスは先日、2nmプロセスの試作生産を開始し、段階的に生産ラインを立ち上げ、生産量の増加を目指す計画を発表した。しかし、サムスンが3nmゲート・オール・アラウンド（GAA）技術で直面した課題と同様に、ラピダスにも不透明感が漂っており、専門家は同社が本格生産を開始するまでわずか2年しかないと警告している。もし生産開始に失敗すれば、日本は世界の競合他社に後れを取ることになるかもしれない。
Rapidusは2027年までに2nmの量産を開始する必要がある
ラピダスは、2nm製造能力の強化を目指し、昨年12月に極端紫外線（EUV）装置を導入しました。これらの装置は、先端半導体ウェハの量産に不可欠なものです。導入後、同社は7月18日に最初のプロトタイプを誇らしげに公開し、半導体製造の最先端分野への参入という野心的な一歩を踏み出しました。日本政府は、様々な政策イニシアチブを推進することで、ラピダスの目標達成を支援する上で重要な役割を果たしてきました。
日本政府は、ラピダスへの支援として総額1.7兆円（約120億米ドル）に及ぶ巨額投資を約束しました。これは大きな後押しとなります。2025年の残りの期間に予定されている支援には、2nmウェハの量産化に向けた約1, 000億円（約6億7, 760万米ドル）が含まれています。こうした潤沢な資金にもかかわらず、同社は依然として潜在的なリスクに直面しており、業界専門家からは慎重な見方が出ています。
日本の半導体・デジタル産業戦略委員会委員である熊本大学の若林秀樹教授は、ラピダス社の経営が悪化した場合、日本の半導体・材料企業の海外移転を促す可能性があると懸念を表明した。こうした海外移転は、市場における日本の競争力を著しく損なう可能性がある。
他国に生産拠点を設立することは、当該地域における熟練労働者の雇用を促進するだけでなく、外国政府が最先端技術に関する機密情報にアクセスできるようになる可能性もある。ラピダスが日本国外で事業を展開する理由としては、より広範な専門スキルを持つ人材プールに、より低コストでアクセスできることが挙げられよう。
さらに、半導体技術の進歩に熱心な国々は、ラピダスのようなメーカーを誘致するために魅力的なインセンティブを提供する可能性があります。しかし、現在日本政府から強力な支援を受けていることを考えると、ラピダスが事業を海外に移転することは考えにくいでしょう。
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