日本のラピダス、最先端2nm GAAノードチップ技術でTSMCと競合

半導体業界、特に2nmノードの分野では競争が激化しています。日本のRapidus社は、TSMCやSamsungといった業界リーダーに並ぶ画期的な技術を発表しました。

Rapidus、革新的な技術で2nm生産に前進

歴史的に、TSMCはチップ製造市場を独占し、SamsungとIntelが僅差で追随してきました。しかし、Rapidusは2nmプロセス技術に参入し、目覚ましい進歩を披露する態勢を整えています。最近の発表で、同社はIIM-1ファウンドリにおいて、Gate-All-Around（GAA）技術を採用した2nmチップの試作に成功したと発表しました。この成果により、RapidusはこのノードサイズにおけるGAA技術の量産におけるパイオニアとしての地位を確立し、2027年までに大規模生産を開始する見込みです。

生産効率を最適化するため、Rapidusは製造初期段階において「シングルウェーハ」プロセス戦略を導入しました。このアプローチにより、リアルタイムの調整と改善が可能になり、Rapidusは生産フィードバックに人工知能（AI）の機能を活用できるようになりました。Rapidusは、プロセスの改良と歩留まり向上により、2nm製造ラインにこれらの最先端手法をいち早く導入した企業の一つであり、重要なサンプリング段階における精度の重要性を強調しています。

ラピダスにとってもう一つの重要なマイルストーンは、極端紫外線（EUV）リソグラフィ技術の活用であり、同社は日本企業として初めてこのような先進的な装置を導入しました。ASMLの装置の統合により、ラピダスはリソグラフィ分野におけるTSMCの技術力とさらに足並みを揃え、イノベーションへの真摯な取り組みを改めて示すことになります。同社は2026年第1四半期までに2nm GAAプロセス設計キット（PDK）をリリースすることを目指しており、TSMCの予定より約1年後となる2027年の本格生産開始に先立ち、カスタマイズソリューションの提供を可能にします。

Rapidus社が技術革新を続けるにつれ、業界の力学は変化する可能性があります。Rapidus社のような新規競合企業の出現は、特に既存企業が優位性を維持するのに課題を抱えている状況において、半導体市場に必要な多様性をもたらす可能性があります。

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