中国の半導体製造における進歩は、特に同国初の商業利用を目的とした電子ビームリソグラフィーツールの開発を受けて注目を集めている。
中国の先駆的な電子ビームリソグラフィー装置：限界のある前進
リソグラフィー分野において、中国は歴史的に西側諸国に遅れをとってきました。主な理由は、ASMLの最先端装置へのアクセスが限られていることであり、これがハイエンド半導体チップの製造における重大な障害となっています。しかしながら、複数の中国企業が極端紫外線（EUV）技術の市場導入に積極的に取り組んでいます。注目すべき成果の一つは、浙江大学の研究者によるもので、彼らは電子ビームを用いて半導体ウェハを加工するリソグラフィー装置の開発に成功しました（SCMP経由）。
Xizhiと呼ばれるこの新開発装置は、ASMLの高NA EUVシステムの能力にはまだ及ばないものの、重要なマイルストーンと言えるでしょう。電子ビームリソグラフィー（EBL）装置は現在、米国の輸出規制の対象となるため、この成果は中国国内の半導体産業にとって極めて重要です。この装置はASMLの先進技術に匹敵する0.6ナノメートルの精度を実現できますが、スループットが大きな欠点です。EBLが採用しているポイントバイポイント方式では、1枚のウェハを製造するのに数時間かかるため、量産効率が著しく制限されます。
中国は標準的な半導体製造の大部分を依然として深紫外線（DUV）装置に依存している。このEBL装置の導入により、中国企業と欧米企業間の研究開発力の差が縮まり、先進的な半導体プロトタイプの製造が可能になる可能性がある。しかしながら、この手法が大規模製造において持続可能かどうかは依然として疑問視されている。
半導体技術において米国に何年も遅れをとっているにもかかわらず、中国の進歩は明らかであり、その差は徐々に縮まっています。EBLが、世界の半導体市場での中国の躍進という野望に今後どのような影響を与えるのか、注目に値します。
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