半導体製造の競争環境において、サムスンとTSMCは長らくリーダーとして認められており、特に2nmウェハの量産への道を切り開いたことでその地位を確立してきました。しかし、注目すべき新参者である日本のRapidus社は、既存の競合他社より1年遅れているとはいえ、このエリート集団への参入に向けて着実に前進しています。最近の報道によると、Rapidus社は200基の先進的な生産ユニットを備えた新設施設で、2nm GAAウェハの試作生産を開始したとのことです。幸いなことに、同社は米国の輸出規制に縛られておらず、これらの最先端ウェハの量産に不可欠な最新技術へのアクセスを確保しています。
RapidusのIIM-1ファウンドリーの進歩
2nm以下のウェーハ製造に先進的な極端紫外線（EUV）リソグラフィーシステムを導入した日本の先駆的企業の一つとして、ラピダスはこの地域の半導体製造分野をリードすることを目指しています。枚葉式前工程処理アプローチを活用することで、個々のウェーハ特性を最適化し、数百万ドル規模の製造コストを大幅に削減することが可能です。この革新的な技術は、調整作業を効率化するだけでなく、データ取得能力を向上させ、AIモデルの学習効率を向上させ、ひいては歩留まりの向上にも貢献します。
特に印象的なのは、ここ数年のラピダスの躍進のスピードです。同社は2023年9月に先端半導体分野に進出し、クリーンルーム設備の完成は2024年を予定しています。2025年6月までに、ラピダスは200台の先端ウェーハ製造システムを稼働させ、このハイテク分野における主要プレーヤーとしての地位を確立する予定です。
Rapidus 社は、その取り組みをサポートするため、IIM-1 ファウンドリの 2nm 製造能力に合わせたプロセス開発キットも開発しており、2026 年第 1 四半期に顧客への提供を開始する予定です。これにより、顧客はほぼ即座に設計の試作を開始でき、量産は 2027 年に予定されています。Rapidus 社は、Samsung 社や TSMC 社などの大手企業に比べると 2nm 製造分野への参入が若干遅れるかもしれませんが、今回の参入により、この最先端技術に注力する特別な企業グループ内での地位が確固たるものになります。
詳細については、元のニュースソースをご覧ください：PRNewswire
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