ファーウェイは先進的な3nm GAAチップ技術で半導体の課題を克服することを目指し、2026年までにテープアウトを予定

中国の半導体産業にとって大きな前進となるファーウェイは、先進的な3nmゲート・オール・アラウンド（GAA）技術の開発に着手しました。この取り組みは、同社のグローバル市場における競争力強化を目指しています。

ファーウェイのハイエンドチップ開発への野心的な転換

イノベーションのパイオニアとして認められているファーウェイは、モバイル技術の枠を超えて製品の多様化に大きく前進しました。同社は現在、人工知能（AI）とコンピューティングに多額の投資を行い、欧米のテクノロジー大手にとって手強い競合企業としての地位を確立しています。台湾経済日報の報道によると、ファーウェイはSMICが開発した国産5nmプロセスを採用したKirin X90システムオンチップ（SoC）の成功を受け、3nm GAA技術の研究開発を開始しました。

ファーウェイが3nmノードにGAAアーキテクチャを戦略的に選択したことは、従来のシリコントランジスタ設計から脱却し、革新的な「2次元」材料を採用することを示しています。この斬新なアプローチは、消費電力を削減しながら性能を向上させ、チップ設計の効率性における新たな基準を確立する可能性があります。注目すべきは、3nm GAA設計の実装に成功したファーウェイ以外にはサムスンファウンドリーしかなく、両業界リーダー間の協業の可能性について疑問が生じている点です。

ファーウェイはKirinチップセットを搭載したスマートフォンでさらなる市場参入を計画している

ファーウェイは、先進的なノードに加え、3nmチップ向けに「カーボンベース」設計も検討しており、従来のシリコントランジスタに代わる魅力的な代替材料としてカーボンナノチューブを活用しています。この実験は、チップ技術の限界を押し広げるというファーウェイのコミットメントを反映しています。現在の計画はまだ初期段階ですが、野心的ではあるものの、時に頓挫したプロジェクトを数多く手がけてきた実績は、その可能性に対する慎重ながらも楽観的な見方を示唆しています。5nmプロセスにおける同社の実績、特にこれらのプロセスをコンシューマー製品に統合することに成功したことを考えると、今後さらなるイノベーションが期待できるのは当然と言えるでしょう。

ファーウェイは半導体市場における地位を強化するとともに、サプライチェーンを効果的に垂直化し、欧米のテクノロジー企業との競争力を強化してきました。こうした状況を受け、テクノロジー分野における米中間の地政学的ダイナミクスは、まさに変革の瀬戸際にあります。

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