半導体業界の新興企業であるSiCarrier社が、Huawei社と共同で次世代半導体製造技術の開発を目指し、多額の資金調達に向けて協議を進めているとの報道が最近ありました。この取り組みは、大手企業ASML社に対する競争力を強化すると同時に、外国企業への依存度を低減することを目指しています。しかし、こうした野心的な目標を達成するには、多額の資金投資が必要です。SiCarrier社は、イノベーションへの道を加速させるため、28億ドルという巨額の資金調達を目指しています。
革新的研究のための戦略的資金
先日開催されたSEMICONで、SiCarrier社は、半導体分野におけるASML社の優位性に挑戦し、中国に競争優位性をもたらす可能性のある、先進的な半導体製造装置を多数展示しました。これらの技術は目覚ましい成果を上げましたが、ロイター通信の報道によると、SiCarrier社の新製品の多くはまだ開発段階にあり、生産開始に至っていないとのことです。このボトルネックは、同社の資金調達の緊急性を浮き彫りにしています。関係者によると、同社は前述の28億ドルの資金調達を目指しており、企業価値は約110億ドルとされています。
この資金調達活動は今後数週間で終了すると予想されており、SiCarrierの将来性に投資を熱望する国内のベンチャーキャピタル各社から注目を集めています。興味深いことに、この活動で概説されている資金要件には、SiCarrierのリソグラフィー技術は含まれていません。しかし、業界がイノベーションに重点を置いていることを考えると、潜在的な投資家はこれらの資産に強い関心を示す可能性があります。最終的に、中国、特にHuaweiにとっての包括的な目標は、従来のDUV装置からの脱却です。その代わりに、メーカーが現在の7nm技術の限界を超えることを可能にする、最先端のEUV装置の開発に重点が置かれています。
現状、中国最大の半導体受託製造会社であるSMICは、7nmウェーハの量産にとどまっています。5nm技術への移行は、複数のパターニング工程が必要となるため、コストの増大や生産歩留まりの低下を招く可能性があり、依然として困難を極めています。SMICは5nmノードの開発で大きな進展を見せていると報じられていますが、この先進リソグラフィーを用いたウェーハの量産はまだ見通せていません。さらに、中国が自社製のEUV装置を開発する計画についても議論されており、2025年第3四半期までに試作生産を開始すると予想されています。しかし、この分野に関する最新情報の不足は、中国の半導体事業の実現可能性に対する懸念を引き起こしており、その成否はSiCarrierの事業の成功に大きく左右される可能性があります。
出典：ロイター
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