来年初頭に発売が予定されているGalaxy S26の発売は、Qualcommによるチップセット独占の終焉を告げるかもしれません。最近の報道によると、Samsungは革新的なExynos 2600プロセッサの量産準備を進めているようです。Samsungは今年初め、このチップセットの計画を発表しました。このチップセットは、同社初の2nm Gate-All-Around（GAA）技術を採用していることで注目されています。当初の発表では、以前のモデルと比較してNPUの性能が大幅に向上していることが示唆されていましたが、新たな展開は、Samsungが歩留まり問題に関連する過去の課題を克服したことを示唆しています。
ヒートパスブロックテクノロジーによる過熱対策
数か月前、アナリストはサムスンの2nm GAAプロセスの進捗状況が、以前の3nm製品よりも優れており、推定歩留まりが30%であると報告しました。この数字は控えめに思えましたが、現在の2nm GAA実装の歩留まりは、この報告以降改善している可能性があります。ETNewsの最近のアップデートによると、サムスンの主要ファウンドリはExynos 2600の量産開始を目前にしており、これまで直面したあらゆる障害が解決されたことを示しています。
次期Galaxy S26のラインナップには、Snapdragon 8 Elite Gen 5とExynos 2600の両方のモデルが含まれ、それぞれ異なるグローバル市場向けにカスタマイズされています。この戦略的な動きは、パフォーマンスの向上だけでなく、次期会計年度におけるSamsungのコスト削減も目指しています。注目すべきは、最近公開されたGeekbench 6ベンチマークで、Exynos 2600がSnapdragon 8 Elite Gen 5のクロックダウン版に匹敵するパフォーマンス値を達成していることです。これらの結果は、Samsungの2nm GAAプロセスが、2025年第4四半期に量産開始予定のTSMCの次期2nmテクノロジーと競合する可能性を示唆しています。
しかし、サムスンは受注を確保するために、消費者からの評判を再構築する努力も必要です。成功は最先端技術だけでなく、ブランドの信頼回復も不可欠だからです。Exynosシリーズはこれまで、過熱問題で批判されてきました。これらの懸念を軽減するため、本レポートでは、サムスンがExynos 2600の設計にヒートパスブロック（HPB）技術を統合し、熱管理を強化したと示唆しています。HPB技術については以前にも議論されてきましたが、現在得られている知見の多くは、以前の情報を裏付けるものであることに留意する必要があります。情報源の信頼性を考慮すると、読者はこれらの主張に慎重に取り組むべきであり、今後も新たな情報が得られ次第、最新情報を提供していきます。
詳細については、ETNewsのオリジナルレポートをご覧ください。
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