サムスンは、特に2nmゲート・オール・アラウンド（GAA）プロセスにおいて、半導体技術の進歩において大きな進歩を遂げています。チップ製造の限界を押し広げる大胆な動きとして、同社は独自の1nmプロセス開発計画を開始しました。最近の報道によると、サムスンはこの先駆的なプロジェクトを加速させるために専任チームを編成したとのことです。しかしながら、1nmチップの本格的な生産開始は2029年まで見込まれていない点に留意する必要があります。
1nmテクノロジーの要件と現在の開発状況
1nmウェハ製造への道は、「高NA EUV露光装置」の導入にかかっています。サムスンがこの最新鋭の装置を発注したかどうかは、現時点では確認されていません。一方、半導体業界のもう一つの大手企業であるTSMCは、4月初旬から既に2nmウェハの受注を開始しており、競争の激化を浮き彫りにしています。
サムスンは最近、2nm GAAプロセスによるパフォーマンスの大幅な向上を示し、生産歩留まりは30%に達したと報告しています。これは従来の3nm GAAプロセスと比較すると大きな進歩ですが、同社は依然として課題に直面しています。TSMCは同時に1.4nmノードの開発を進めており、サムスンが1nmプロセスへの取り組みを進めることは、業界での競争力獲得に不可欠です。
Sedailyの報道によると、サムスンの1nmプロセス構想は「夢の半導体プロセス」と称され、革新的な技術と手法を必要としている。注目すべきは、この野心的な取り組みに携わっていた研究者の一部が新設チームに再配置されたことであり、この最先端開発への戦略的注力を示している。しかし、サムスンが以前、1.4nmプロセスの開発を中止することを決定していたことは興味深い。おそらく2nm技術へのリソース配分を優先するためだろう。この決定の具体的な理由は明らかにされていない。
今後、サムスンが初の1nmウェハの製造に成功したとしても、量産開始までには2029年と、まだ相当な期間が残っています。この4年間という期間は、生産段階で潜在的なハードルが立ちはだかることを示唆していますが、これらの課題を克服するには、サムスンのイノベーションへのコミットメントが不可欠となるでしょう。私たちは、この野心的な事業を推進するサムスンの進捗状況を引き続き注視し、報告していきます。
詳細については、ニュースソースをご覧ください：Sedaily
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