サムスン、2026年に次世代メモリ生産開始へ野心的な計画
サムスンは、メモリ技術の大幅な進歩に向けて準備を進めており、2026年に予定されている24Gb GDDR7 DRAMおよび128GB以上の製品に加えて、次世代の高帯域幅メモリ（HBM4）の生産開始を目指しています。
最近の財務実績のハイライト
サムスンは2025年第3四半期の決算報告において、売上高が前年比15.4%増の86兆1000億ウォンに達したと報告しました。この記録的な数字は主に、HBM3Eメモリとサーバー向けSSDの需要急増によるもので、特に人工知能（AI）分野の成長が同社の成長を牽引しています。
次世代HBM4と2nmプロセスの導入
サムスンは先日、集積回路（IC）あたり最大11Gbpsの速度を実現する先進的なHBM4メモリソリューションを発表しました。このメモリは、NVIDIAやAMDといった業界大手の次期AIアクセラレータ、特にRubinシリーズやMI400シリーズにとって強力な選択肢となることが期待されています。この最先端のHBM4メモリのサンプルは、AIチップメーカー各社によって試験と品質保証のために評価されていると報じられています。
サムスンはHBM4と連携し、2026年までに2nm Gate-All-Around（GAA）プロセスとHBM4ベースダイの安定供給を確保することに注力している。2nmテクノロジーは、次世代のExynosおよびQualcomm Snapdragon System on Chip（SoC）の生産を強化する予定で、今四半期には生産が増加する見込みだ。
2025年第4四半期においては、HBM3E、高密度eSSDといった最先端メモリ製品群により、AIサーバーや従来型サーバーからの需要に積極的に対応します。また、128GB以上のDDR5や24Gb GDDR7といった、業界をリードする高付加価値サーバーメモリ製品の拡販も推進します。
2026年以降、メモリ事業は、差別化された性能を持つHBM4製品の量産に注力するとともに、HBMの販売基盤の拡大を目指します。特にHBM4の需要は増加が見込まれており、1cにおける生産能力増強など積極的な対応を図っていきます。また、AI用途の需要に応えるため、DDR5、LPDDR5x、高密度QLC SSDといった高付加価値製品の拡販にも注力していきます。
2025年第4四半期においては、2nmゲート・オールラウンド（GAA）製品の量産体制の強化、ファブ稼働率の向上、コストの最適化により、継続的な収益向上を目指します。
2026年には、ファウンドリー事業は、新しい2nm GAA製品とHBM4ベースダイの安定供給に注力し、テキサス州テイラーの当社工場の操業を適時に開始します。
将来の製品の影響と市場動向
サムスンは、128GB以上のDDR5メモリと24Gb GDDR7 DRAMが2026年に果たす重要な役割を特定しました。2026年後半にはAMDとIntelから新しいサーバープラットフォームがリリースされる予定で、市場活動が大幅に活発化すると予想されます。
GDDR7の需要は、特にハイエンドユーザーやAIグラフィックスカード開発者の間で堅調に推移すると予測されています。NVIDIAが最近発表したRubin CPX GPUはこのメモリの理想的な候補であり、NVIDIA RTX 50「SUPER」シリーズや、AMD Radeon「RDNA 5」または「RDNA 4」の今後の製品にも対応する可能性があります。24Gb DRAMダイは、VRAM容量の増強だけでなく、主流セグメントにおけるギャップの解消にも貢献します。
しかし、DRAMおよびSSD市場が現在直面している喫緊の課題は、AIへの圧倒的な注力によって、コンシューマー向け製品の価格が高騰していることです。最近の報道によると、DDR5メモリとSSDは供給不足の深刻化に伴い価格が大幅に上昇しており、消費者とメーカー双方の懸念が高まっています。複数の主要DRAMメーカーが既にDDR5およびDDR4メモリの価格引き上げを発表しており、今後数ヶ月間の市場動向はより綿密に調査されることになります。
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